S1ZB60-7102

Manufacturer Part NumberS1ZB60-7102
DescriptionBridge Rectifiers VRM=600 IFSM=30
ManufacturerShindengen
S1ZB60-7102 datasheets

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Specifications of S1ZB60-7102

ProductSingle Phase BridgePeak Reverse Voltage600 V
Max Surge Current30 AForward Voltage Drop1.05 V
Maximum Reverse Leakage Current10 uAMaximum Operating Temperature+ 150 C
Length4.7 mmWidth3.8 mm
Height2.5 mmMounting StyleThrough Hole
Package / Case1ZLead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
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Bridge Diode
S1ZB □
800V 0.8A
特 長
I
• 小型 D
P パッケージ
• 耐久性に優れ高信頼性
Feature
I
• Small-D
P
• High-Reliability
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（
項  目
記号
Symbol
Item
保存温度
T
stg
Storage Temperature
接合部温度
T
j
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
V
RM
Maximum Reverse Voltage
出力電流
I
O
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
I
FSM
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
I
2
t
Current Squared Time
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（
順電圧
V
F
Forward Voltage
逆電流
I
R
Reverse Current
θjl
熱抵抗
Thermal Resistance
θja
（J534）
16
デュアルインライン型
Dual In-Line Package
■外観図 OUTLINE
Package：1Z（SMD）
④
品名略号
Type No. ③
Package：1Z（THD）
品名略号
Type No.
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
Tl = 25℃／
指定のない場合
品 名
条 件
Type No.
Conditions
アルミナ基板実装
50Hz 正弦波，抵抗負荷，Ta = 25℃
On alumina substrate
50Hz sine wave,
プリント基板実装
Resistance load, Ta = 25℃
On glass-epoxy substrate
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj= 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
１素子当たりの規格値
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃，
per diode
Tl =25℃／
指定のない場合
パルス測定，１素子当たりの規格値
I
0.4A,
F=
Pulse measurement, per diode
パルス測定，１素子当たりの規格値
V
V
R =
RM,
Pulse measurement, per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
アルミナ基板実装
On alumina substrate
接合部・周囲間
プリント基板実装
Junction to Ambient
On glass-epoxy substrate
Unit : mm
Weight : 0.13（typ.）
①
④−
＋①
Z62N
ロッ ト記号 （例）
③∼
∼②
②
Date code
4.7
7
2.6
Unit : mm
Weight : 0.13g （ typ.）
④
①
④−
＋①
Z60N
ロッ ト記号 （例）
③∼
∼②
Date code
③
②
4.7
3.8
2.5
3.05
）
unless otherwise speci
単位
S1ZB20 S1ZB60 S1ZB80
Unit
−40∼150
℃
150
℃
200
600
800
V
0.8
A
0.5
A
30
4.5
A
）
unless otherwise speci
MAX
1.05
V
10
μA
MAX
20
MAX
MAX
76
℃/W
MAX
134
2
s

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Part Number DescriptionManufacturer Datasheet
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S1ZB60-7102 Summary of contents

  • Page 1

    ... Z60N ロッ ト記号 （例） ③∼ ∼② Date code ③ ② 4.7 3.8 2.5 3.05 ） unless otherwise speci 単位 S1ZB20 S1ZB60 S1ZB80 Unit −40∼150 ℃ 150 ℃ 200 600 800 V 0 ...

  • Page 2

    Small DIP Bridge ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ （J534） S1ZB □ 17 ...

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