BSM200GB120DN2 Infineon Technologies, BSM200GB120DN2 Datasheet
BSM200GB120DN2
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BSM 200 GB 120 DN2 IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 200 GB 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage ...
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BSM 200 GB 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage 200 ...
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BSM 200 GB 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 4.7 Gon Rise time V = 600 V, ...
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BSM 200 GB 120 DN2 Power dissipation tot C parameter: T 150 °C j 1500 W 1300 1200 P tot 1100 1000 900 800 700 600 500 400 300 200 100 ...
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BSM 200 GB 120 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 400 A 17V 15V I 13V C 300 11V 9V 7V 250 200 150 ...
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BSM 200 GB 120 DN2 Typ. gate charge Gate parameter 200 A C puls 600 200 400 600 ...
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BSM 200 GB 120 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 200 GB 120 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 400 300 250 T =125°C j 200 150 100 50 0 0.0 0.5 1.0 1.5 Transient ...
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BSM 200 GB 120 DN2 Package Outlines Dimensions in mm Weight: 420 g Circuit Diagram 9 Oct-21-1997 ...
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... Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM200GB120DN2 IGBT-Modules Anhang C-Serie Appendix C-series Gehäuse spezifische Werte Housing specific values Modulinduktivität stray inductance module Gehäusemaße C-Serie Package outline C-series typ sCE Appendix C-series nH Appendix_C-Serie_BSM200GB120DN2.xls 2001-09-20 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produkte s für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen ...