RTM5070 MENTOR, RTM5070 Datasheet

RTM5070

Manufacturer Part Number

RTM5070

Description

IR EMITTER, 950NM, 5MM

Manufacturer

MENTOR

Datasheet

1.RTM5070.pdf (1 pages)

Specifications of RTM5070

Turn On Time

400ns

Forward Current If Max

1.5A

Power Dissipation Pd

100mW

Length/height, External

18mm

Wavelength Typ

950nm

Peak Wavelength

950nm

Turn Off Time

400ns

No. Of Pins

Forward Voltage

1.7V

Half Sensitivity Angle Â±

20Â°

Rohs Compliant

Yes

Forward Current If

1.5A

Forward Current If(av)

200mA

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

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Signalsensoren Ø mm

Metallfassungen

Die Infrarot-Dioden zeichnen sich durch gute spektrale Anpassung an Fototransis-

toren, hohe Strahlstärke und große Reichweite (6-10 m) aus. Sie sind für Impulsbe-

trieb geeignet. Die Signalsensoren für Frontplatteneinbau sind für Schraubbefesti-

gung mit einer empfohlenen Einbaubohrung von Ø 8 mm ausgelegt.

Durch Verwendung von Dichtungen ist die Infrarot-Diode in strahlwassergeschütz-

ter Ausführung IP 65 einsetzbar. Lieferung inklusive Scheibe und Mutter.

Der Fototransistor zeichnet sich durch gute spektrale Anpassung an Infrarot-LED‘s

aus. Er ist geeignet für Bereiche der sichtbaren und nahen infraroten Strahlung. Er

besitzt eine hohe Fotoempfindlichkeit. Für Frontplatteneinbau mit Schraubbefesti-

gung und einer empfohlenen Einbaubohrung von Ø 8 mm ausgelegt.

Allgemeine Hinweise und Technische Daten

Allgemeine Hinweise und technische Daten: siehe Seite 4

Spezifische Technische Daten

Gehäusewerkstoff: CuZn verchromt

Steckeinsatz: PC UL94 schwarz

Wellenlänge: λ 950 nm

Strahlstärke: Ie 20 mW/sr bei Durchlassstrom I

Durchlaßspannung: V

Ausstiegszeit t

Halbwinkel: φ ± 22°C

Spezifische Technische Daten

Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung: V

Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung: V

Verlustleistung: P

Ausstiegszeit t

Wellenlänge: λ 940 nm

Kollektor-Emitter-Strom: I

Magerdruck keine Lagerware · Bestellmenge und Preise auf Anfrage · Light printing non-stock item · Quantity and prices on request

, Abfallzeit t

Art.-Nr.

tot

100mW

1.3 V bei Durchlassstrom I

PCE

: 400 ns

: 3 µs

100µA

BR CEO

BR ECO

30V

100 mA

2690.8001

2691.8001

RTM 070

2690.8001

2691.8001

RTM 5070

666

667

668

Indicator Sensors Ø mm

Metal Holders

General Remarks and Technical Data

General remarks and technical data: see page 4

Specific Technical Data

Housing Material: CuZn chrome plated

Plug Insert: PC UL94 black

Wavelength: λ 950 nm

Radiant Intensity: Ie 20 mW/sr at Forward current I

Forward Voltage: V

Rise time t

Half angle: φ ± 22°C

The infrared diodes are characterised by their good spectral adaptation to photo

transistors, high beam intensity and long range distances (6-10 m). They are suitab-

le for pulsed operation. The signal sensors for front panel installation are designed

for screw mounting with a recommended installation hole of Ø 8 mm.

Seals allow the infrared diode to be used in water jet-proof IP65 designs. Supplied

with washer and hexagonal nut.

Specific Technical Data

Collector-Emitter-Breakdown Voltage: V

Emitter-Collector- Breakdown Voltage: V

Power Disipation: P

Rise time t

Wavelength: λ 940 nm

Collektor-Emitter-Current: I

The photo transistor is characterised by its good spectral adaptation to infrared

LEDs. It is suitable for visible and near-infrared radiation. It has a high photosen-

sitivity. Designed for front panel installation with screw mounting and a recom-

mended installation hole of Ø 8 mm.

, Fall time t

tot

1.3 V at Forward current I

100mW

: 400 ns

: 3 µs

PCE

2.5

100µA

11.5

2.5

23.3

11.5

2.5

11.5

23.3

16.5

SW10

BR CEO

BR ECO

SW10

30V

100 mA

Emitter

Collector

Anode

100 mA

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