S1NB80-7062

Manufacturer Part NumberS1NB80-7062
DescriptionBridge Rectifiers VRM=800 IFSM=30
ManufacturerShindengen
S1NB80-7062 datasheet
 


Specifications of S1NB80-7062

ProductSingle Phase BridgePeak Reverse Voltage800 V
Max Surge Current30 AForward Voltage Drop1.05 V
Maximum Reverse Leakage Current10 uAMaximum Operating Temperature+ 150 C
Length6.8 mmWidth6.5 mm
Height2.5 mmMounting StyleSMD/SMT
Package / CaseDIL SMTLead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
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Bridge Diode
S1NB □
800V 1A
特 長
I
• 小型 D
P パッケージ
Feature
I
• Small-D
P
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings(
項  目
記号
Symbol
Item
保存温度
T
stg
Storage Temperature
接合部温度
T
j
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
V
RM
Maximum Reverse Voltage
出力電流
I
O
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
I
FSM
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
2
I
t
Current Squared Time
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics(
順電圧
V
F
Forward Voltage
逆電流
I
R
Reverse Current
θjl
熱抵抗
Thermal Resistance
θja
(J534)
20
デュアルインライン型
Dual In-Line Package
■外観図 OUTLINE
Package:1N(SMD)
品名略号
Type No.
級表示 (例)
Class
ロッ ト記号 (例)
Date code
Package:1 N (THD)
品名略号
Type No.
級表示 (例)
Class
ロッ ト記号 (例)
Date code
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
Tl = 25℃/
指定のない場合
条 件
Type No.
Conditions
50Hz 正弦波,抵抗負荷,プリント基板実装,
Ta = 25℃
50Hz sine wave, Resistance load, On glass-epoxy substrate,
Ta=25℃
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1素子当たりの規格値
1ms≦t<10ms,Tj = 25℃,
per diode
Tl = 25℃/
指定のない場合
パルス測定,1素子当たりの規格値
I
0.5A,
F =
Pulse measurement, per diode
パルス測定,1素子当たりの規格値
V
V
R =
RM,
Pulse measurement, per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
Unit : mm
Weight : 0.29g ( typ.)
6.8
④−
①+
S1NB
10
6094
③∼
②∼
2.6
Unit : mm
Weight : 0.29g ( typ.)
6.8
④−
①+
S1NB
6.5
6099
③∼
②∼
2.5
4.4
unless otherwise speci
品 名
単位
S1NB20
S1NB60
S1NB80
Unit
−40∼150
150
200
600
800
V
A
1
A
30
A
4.5
unless otherwise speci
MAX
1.05
V
10
μA
MAX
MAX
15
℃/W
MAX
68
2
s

S1NB80-7062 Summary of contents

  • Page 1

    ... S1NB 6.5 6099 ③∼ ②∼ ③ ② 2.5 4.4 ) unless otherwise speci 品 名 単位 S1NB20 S1NB60 S1NB80 Unit −40∼150 ℃ 150 ℃ 200 600 800 4.5 ) unless otherwise speci MAX 1 ...

  • Page 2

    Small DIP Bridge ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS * Sine wave は 50Hz で測定しています。 * *半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 * (J534) S1NB □ 21 ...