S1NB80-7062 Shindengen, S1NB80-7062 Datasheet

S1NB80-7062

Manufacturer Part Number

S1NB80-7062

Description

Bridge Rectifiers VRM=800 IFSM=30

Manufacturer

Shindengen

Datasheet

1.S1NB60-7101.pdf (2 pages)

Specifications of S1NB80-7062

Product

Single Phase Bridge

Peak Reverse Voltage

800 V

Max Surge Current

30 A

Forward Voltage Drop

1.05 V

Maximum Reverse Leakage Current

10 uA

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

6.8 mm

Width

6.5 mm

Height

2.5 mm

Mounting Style

SMD/SMT

Package / Case

DIL SMT

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

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Bridge Diode

• 小型 D

• Small-D

■定格表 RATINGS

●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（

●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（

Feature

保存温度

Storage Temperature

接合部温度

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

電流二乗時間積

Current Squared Time

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

熱抵抗

Thermal Resistance

特長

（J534）

P パッケージ

S1NB □

項目

800V 1A

Item

Symbol

記号

θja

θjl

FSM

stg

Conditions

1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃，

50Hz 正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装，

Ta = 25℃

50Hz sine wave, Resistance load, On glass-epoxy substrate,

Ta=25℃

50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃

接合部・リード間

Junction to Lead

接合部・周囲間

Junction to Ambient

F =

R =

条件

0.5A,

デュアルインライン型

RM,

Dual In-Line Package

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

指定のない場合

１素子当たりの規格値

per diode

■外観図 OUTLINE

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下

さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。

Package：1N（SMD）

Package：1 N （THD）

Tl = 25℃／

ロット記号（例）

Date code

ロット記号（例）

Date code

級表示（例）

Class

級表示（例）

Class

品名略号

Type No.

品名略号

Type No.

品名

unless otherwise speci

④

S1NB

③

6099

unless otherwise speci

S1NB

6094

6.8

S1NB20

①

②

200

①

②

2.6

6.5

2.5

4.4

−40∼150

S1NB60

MAX

150

600

4.5

1.05

④−

③∼

④−

③∼

Weight : 0.29g （ typ.）

S1NB80

Weight : 0.29g （ typ.）

）

800

）

①＋

②∼

①＋

②∼

Unit : mm

℃/W

単位

Unit

μA

℃

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S1NB80-7062 Summary of contents

Page 1

... S1NB 6.5 6099 ③∼ ②∼ ③ ② 2.5 4.4 ） unless otherwise speci 品名単位 S1NB20 S1NB60 S1NB80 Unit −40∼150 ℃ 150 ℃ 200 600 800 4.5 ） unless otherwise speci MAX 1 ...

Page 2

Small DIP Bridge ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。＊＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。＊（J534） S1NB □ 21 ...

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