DD98N25K

Manufacturer Part NumberDD98N25K
DescriptionDiscrete Semiconductor Modules 2500V 160A
ManufacturerInfineon Technologies
TypeRectifier Diode Module
DD98N25K datasheets

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Specifications of DD98N25K

Mounting StyleScrewOutput Current160 A
Reverse Voltage2500 VPackage / CaseDD98
Gate Trigger Current25 mALead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
1
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N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kenndaten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften
Periodische Spitzensperrspannung
Thermische Eigenschaften
repetitive peak reverse voltages
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
prepared by: C. Drilling
approved by: M. Leifeld
BIP AC / 94-08-01, K.-A. Rüther
Datenblatt / Data sheet
DD98N
DD98N
T
= -40°C... T
vj
vj max
T
= +25°C... T
vj
vj max
T
= 100°C
C
T
= 25 °C, t
= 10 ms
vj
P
T
= T
, t
= 10 ms
vj
vj max
P
T
= 25 °C, t
= 10 ms
vj
P
T
= T
, t
= 10 ms
vj
vj max
P
T
= T
, i
= 300 A
vj
vj max
F
T
= T
vj
vj max
T
= T
vj
vj max
T
= T
, v
= V
vj
vj max
R
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
date of publication:
29.04.03
revision:
1
A32/94
DD98N..K..-K
2000
V
RRM
2100
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
28.800
I²t
20.000
max.
v
F
V
(TO)
r
T
max.
i
RRM
R
V
ISOL
R
max.
thJC
max.
max.
max.
max.
R
thCH
max.
T
vj max
T
- 40...+150 °C
c op
T
- 40...+150 °C
stg
Seite/page
2200
V
2500
V
2300
V
2600
V
160 A
98 A
2.400
A
2.000
A
A²s
A²s
1,53 V
0,82 V
2 mΩ
25 mA
kV
3,0
2,5
kV
0,195
°C/W
0,390
°C/W
0,185
°C/W
0,370
°C/W
0,05
°C/W
0,10
°C/W
150 °C
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  BG3130 Infineon Technologies AG
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  BG3230 Infineon Technologies AG
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  BGA616 Infineon Technologies AG
  SAB-C167CR-LM 16-bit microcontroller with 2x2 KByte RAM Infineon Technologies AG
  BFP182W NPN silicon RF transistor Infineon Technologies AG
  BFP193W NPN silicon RF transistor Infineon Technologies AG

DD98N25K Summary of contents

  • Page 1

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kenndaten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften Periodische Spitzensperrspannung Thermische Eigenschaften repetitive peak reverse voltages Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state ...

  • Page 2

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal ...

  • Page 3

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Maßbild BIP AC / 94-08-01, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet DD98N 1 2 DD-K A32/94 3 Seite/page 3/9 ...

  • Page 4

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module R,T – Werte R,Tau-Glieder des Elements Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z Analytical elements of transient thermal impedance Z Pos [°C/W] 0,0233 thn τ 0,00137 [s] n Analytische Funktion / Analytical function: ...

  • Page 5

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z Analytical elements of transient thermal impedance Z Pos [°C/W] 0,007 thn τ 0,701 [s] n Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z Analytical elements of transient thermal ...

  • Page 6

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module 200 180 Diagramme 160 140 120 100 Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ 160 140 120 100 ...

  • Page 7

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module 600 0,12 0,10 0,08 Maximaler Strom bei B2 und B6 0,15 500 0,20 400 0,25 0,30 300 0,40 200 0,60 0,80 1,00 100 1,50 2,00 2, [°C] A Höchstzulässiger ...

  • Page 8

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module 10000 1000 100 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q 2.000 1.750 1.500 1.250 1.000 750 500 250 0 0,01 Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm I b: Vorlaststrom je Zweig / ...

  • Page 9

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module 1.000 800 600 400 200 0 0,01 0,1 B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular Kühlkörper / Heatsink type KM14 (50W) Natürliche Kühlung bei / Natural cooling at T Parameter: Vorlaststrom je ...

  • Page 10

    Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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