N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
1) 2400V auf Anfrage/ 2400V on request
prepared by: C.Drilling
approved by: J. Novotny
BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther
Datenblatt / Data sheet
TT430N
TT430N
T
= -40°C... T
vj
vj max
T
= -40°C... T
vj
vj max
T
= +25°C... T
vj
vj max
T
= 85°C
C
T
= 75°C
C
T
= 25 °C, t
= 10 ms
vj
P
T
= T
, t
= 10 ms
vj
vj max
P
T
= 25 °C, t
= 10 ms
vj
P
T
= T
, t
= 10 ms
vj
vj max
P
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
= 1 A, di
GM
T
= T
, v
= 0,67 V
vj
vj max
D
6.Kennbuchstabe / 6
6.Kennbuchstabe / 6
T
= T
, i
= 1500 A
vj
vj max
T
T
= T
vj
vj max
T
= T
vj
vj max
T
= 25°C, v
= 6 V
vj
D
T
= 25°C, v
= 6 V
vj
D
T
= T
, v
= 6 V
vj
vj max
D
T
= T
, v
= 0,5 V
vj
vj max
D
T
= T
, v
= 0,5 V
vj
vj max
D
T
= 25°C, v
= 6 V, R
vj
D
T
= 25°C, v
= 6 V, R
vj
D
i
= 1 A, di
/dt = 1 A/µs, t
GM
G
T
= T
vj
vj max
v
= V
, v
= V
D
DRM
R
RRM
DIN IEC 747-6
T
= 25 °C,i
= 1 A, di
vj
GM
date of publication:
revision:
A 61/94
TD430N
1800
2000
V
,V
DRM
RRM
2200
2400
1800
2000
V
DSM
2200
2400
1900
2100
V
RSM
2300
2500
I
TRMSM
I
TAVM
14000
I
TSM
12000
980000
I²t
720000
(di
/dt)
T
cr
/dt = 1 A/µs
G
(dv
/dt)
DRM
D
cr
th
letter C
1000
th
letter F
Max.
1,78 V
v
T
0,95 V
V
(TO)
0,45 mΩ
r
T
Max.
I
GT
Max.
V
GT
max.
I
GD
max.
DRM
V
max.
0,25 V
DRM
GD
= 5 Ω
I
max.
A
H
≥ 10 Ω
I
max.
1500 mA
GK
L
= 20 µs
g
i
, i
max.
D
R
t
max.
gd
/dt = 1 A/µs
G
19.12.02
1
Seite/page
V
1)
V
V
V
V
V
800 A
430
A
510
A
A
A
A²s
A²s
150 A/µs
500
V/µs
V/µs
250 mA
2,2 V
10
mA
5
mA
300 mA
100 mA
4 µs
1/12