BSM50GB170DN2 Infineon Technologies, BSM50GB170DN2 Datasheet
BSM50GB170DN2
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BSM50GB170DN2 Summary of contents
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BSM 50 GB 170 DN2 IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • Ohm G on,min Type BSM 50 GB 170 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage ...
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BSM 50 GB 170 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage °C ...
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BSM 50 GB 170 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 1200 Gon Rise time V = 1200 V, ...
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BSM 50 GB 170 DN2 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 550 W 450 P tot 400 350 300 250 200 150 100 Collector current = ...
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BSM 50 GB 170 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 100 A 17V 15V 80 I 13V C 11V ...
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BSM 50 GB 170 DN2 Typ. gate charge = ( Gate parameter puls 800 0.0 0.1 0.2 0.3 ...
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BSM 50 GB 170 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 1200 ± ...
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BSM 50 GB 170 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 100 0.0 0.5 1.0 1.5 Transient thermal ...
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BSM 50 GB 170 DN2 Package Outlines Dimensions in mm Weight: 250 g Circuit Diagram 9 Oct-27-1997 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...