BSM100GB170DN2 Infineon Technologies, BSM100GB170DN2 Datasheet
BSM100GB170DN2
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BSM 100 GB 170 DN2 IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • Ohm G on,min Type BSM 100 GB 170 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage ...
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BSM 100 GB 170 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage 100 ...
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BSM 100 GB 170 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 1200 Gon Rise time V = 1200 V, ...
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BSM 100 GB 170 DN2 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 1100 W 900 P tot 800 700 600 500 400 300 200 100 Collector current = ...
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BSM 100 GB 170 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 200 A 17V 15V 160 I 13V C 11V 140 9V 7V 120 100 ...
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BSM 100 GB 170 DN2 Typ. gate charge = ( Gate parameter 100 A C puls 800 0.0 0.2 0.4 0.6 ...
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BSM 100 GB 170 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 1200 ± ...
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BSM 100 GB 170 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 200 A 160 I F 140 120 100 0.0 0.5 1.0 1.5 Transient thermal ...
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BSM 100 GB 170 DN2 Package Outlines Dimensions in mm Weight: 420 g Circuit Diagram 9 Oct-27-1997 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...