FP25R12KT3

Manufacturer Part NumberFP25R12KT3
DescriptionIGBT Modules N-CH 1.2KV 40A
ManufacturerInfineon Technologies
FP25R12KT3 datasheet
 


Specifications of FP25R12KT3

ConfigurationHexCollector- Emitter Voltage Vceo Max1200 V
Continuous Collector Current At 25 C40 AMaximum Operating Temperature+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 VMinimum Operating Temperature- 40 C
Mounting StyleScrewPackage / CaseEcono 2
PackagesAG-ECONO2-1Ic (max)25.0 A
Vce(sat) (typ)1.7 VTechnologyIGBT3 Fast
HousingEconoPIM™ 2  
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
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FP25R12KT3 Summary of contents

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    ... Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor Charakteristische Werte / characteristic values jkk jkk , $ = FP25R12KT3 %&' ( )*+ %& )*+ ,@. ( ,9 %&' ( )*+ ,@. ( ,9 %& )*+ ,@. ( 0) ,9 %&' ( )*+ ,: ( I ,9 ,@. ( 0) ,9 %& )*+ ,@. ( 0) ,9 %&' ( )*+ ,: ( I ,9 ,@. ( 0) ,9 %& )*+ ,@. ( 0) ,9 %&' ( )*+ ,: ( I ,9 ,@. ( 0) ,9 %& )*+ )*+ %- ( 0 *+9 jkk ( )*+ nahioikU0B%h 0BU WWp 4 Vorläufige Daten preliminary data ,:: ...

  • Page 5

    ... Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics valid with the appropriate technical explanations. FP25R12KT3 ...

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    ... U,@. U,@. U,@. U,@.W ,-. ( ,-. ( ,-. ( ,-. ( , , , , 50 %&' ( )*+ 45 %& )*+ ,@. n,p FP25R12KT3 U,-. U,-. U,-. U,-.W %& )*+ %& )*+ %& )*+ %& )*+ 2,5 3,0 3,5 0,0 0 "43 ( U2-W9 "4ZZ ( U2-W "43 ( U2-W9 "4ZZ ( U2-W "43 ( U2-W9 "4ZZ ( U2-W " ...

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    ... Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules Schaltplan / circuit diagram Gehäuseabmessungen / package outlines FP25R12KT3 10 Vorläufige Daten preliminary data ...

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