BSM100GB120DN2K Infineon Technologies, BSM100GB120DN2K Datasheet
BSM100GB120DN2K
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BSM 100 GB 120 DN2K IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 100 GB 120 DN2K Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage ...
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BSM 100 GB 120 DN2K Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage 100 ...
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BSM 100 GB 120 DN2K Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 6.8 Gon Rise time V = 600 V, ...
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BSM 100 GB 120 DN2K Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 750 W 650 600 P tot 550 500 450 400 350 300 250 200 150 100 ...
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BSM 100 GB 120 DN2K Typ. output characteristics parameter µ ° 200 A 17V 15V 160 I 13V C 11V 140 9V 7V 120 100 ...
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BSM 100 GB 120 DN2K Typ. gate charge = ( Gate parameter 100 A C puls 600 100 200 300 ...
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BSM 100 GB 120 DN2K Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 100 GB 120 DN2K Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 200 A 160 I F 140 120 T =125°C j 100 0.0 0.5 1.0 ...
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BSM 100 GB 120 DN2K Package Outlines Dimensions in mm Weight: 250 g Circuit Diagram 9 Oct-21-1997 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...