BSM75GP60 Infineon Technologies, BSM75GP60 Datasheet

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BSM75GP60

Manufacturer Part Number
BSM75GP60
Description
IGBT Modules 600V 75A PIM
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of BSM75GP60

Configuration
Hex
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
600 V
Collector-emitter Saturation Voltage
2.2 V
Continuous Collector Current At 25 C
100 A
Gate-emitter Leakage Current
300 nA
Power Dissipation
310 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
Econo PIM3
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
600V
Collector Current (dc) (max)
100A
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Pin Count
24
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BSM75GP60
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
25
Part Number:
BSM75GP60
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
300
Part Number:
BSM75GP60
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
BSM75GP60
Quantity:
50
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip
Dauergleichstrom
DC forward current
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
t
t
t
t
Tc = 70 °C
T
t
T
Tc = 70 °C
t
V
T
T
t
T
Tc = 70 °C
t
date of publication:29.03.2001
revision: 5
BSM75GP60
P
P
P
P
P
P
P
P
C
C
C
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 25 °C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 70 °C
I
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
C,nom.
I
C,nom.
I
I
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
RRM
I
I
CES
I
GES
I
CES
I
GES
I
I
2
2
C
C
d
tot
F
tot
F
t
t
+/- 20V
+/- 20V
1600
1250
37,5
17,5
500
400
800
600
100
150
310
150
920
600
180
60
75
75
75
50
75
35
DB-PIM-10.xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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BSM75GP60 Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Robert Severin BSM75GP60 T = 80° ms 25° ms 150°C ...

Page 2

... Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data BSM75GP60 RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

... Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Durchlaßspannung forward voltage NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value BSM75GP60 T = 25° 0V 25° 0V 125° ...

Page 4

... Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight BSM75GP60 Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans. Bremse/ Trans. Brake Diode Bremse/ Diode Brake Gleichr. Diode/ Rectif. Diode =1W/m*K Paste Trans ...

Page 5

... Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 140 120 100 0,5 1 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 140 VGE = 20V VGE = 15V 120 VGE = 12V VGE = 10V 100 VGE = 0,5 1 BSM75GP60 25° 125°C 1 125°C vj 1 [V] CE 5(11) ) ...

Page 6

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) Transfer characteristic Inverter (typical) 140 120 100 Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical) 140 120 100 0,2 0,4 BSM75GP60 25° 125° [ 25° 125°C 0,6 0 [V] F 6(11 ...

Page 7

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical Eon 7 Eoff Erec Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 5 4,5 Eon Eoff 4 Erec 3,5 3 2,5 2 1 BSM75GP60 off T = 125° ± 100 I [ off T = 125° +- 7(11) ...

Page 8

... Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter 1 Zth-IGBT Zth-FWD 0,1 0,01 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) 160 140 120 100 100 BSM75GP60 Z thJC 0 125° IC,Modul IC,Chip 200 300 400 V [V] CE 8(11 ( ...

Page 9

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical 25° 125° 0,5 1 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 0,5 BSM75GP60 1 25° 125°C 1 1,5 V [V] F 9(11 3 2,5 DB-PIM-10.xls ...

Page 10

... IGBT-Module IGBT-Modules Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) 140 120 100 0,2 0,4 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 BSM75GP60 25° 150°C 0 (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 10(11 1,2 1,4 ...

Page 11

... Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. BSM75GP60 ...

Page 12

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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