T221N18BOF Infineon Technologies, T221N18BOF Datasheet

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Specifications of T221N18BOF
Rated Repetitive Off-state Voltage Vdrm	1800 V	Off-state Leakage Current @ Vdrm Idrm	50 mA
Holding Current (ih Max)	300 mA	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TSW41	Breakover Current Ibo Max	6500 A
Gate Trigger Current (igt)	200 mA	Gate Trigger Voltage (vgt)	2 V
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage	1800 V

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Marketing Information

T 221 N

6,3 x 0,8

70mm² Cu

yellow

ø3,2 x 15

SW41

M24 x 15

European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

HK red

70mm² Cu

hole for temperature

ø54

VWK Aug. 1996

6,3 x 0,8

yellow

measurement

ø 3,2 x 1,5 deep

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T221N18BOF Summary of contents
Page 1 Marketing Information T 221 6,3 x 0,8 70mm² yellow ø3 SW41 A M24 x 15 European Power- Semiconductor and Electronics Company C HK red 70mm² Cu hole for temperature ø54 VWK Aug. 1996 ... Page 2 T 221 N Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values repetitive peak forward off-state and reverse voltages non-repetitive peak forward off-state voltage non-repetitive peak reverse voltage RMS on-state current average on-state current surge current 2 I critical rate ... Page 3 0 221 Bild / Fig. 1 Durchlaßkennlin ie / On-sta te characteristic ... Page 4 C [° 30° 120 221 Bild / Fig. 7 Höchstzulässige Gehä use tempe ratur / Ma x. ... Page 5 I TINT [A ] 1min I TAV (vor)=0 SD= 0, 4min 10 min 40 0 40min 20 0 0,1 0,2 0 40100 ... Page 6 Z (th)JC [°C/W] 0 0,1 2 30° 0,0 8 60° 90° 120° 0,0 4 180° 100 200 400 ... Page 7 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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