MJE340G ON Semiconductor, MJE340G Datasheet

TRANS PWR NPN .5A 300V TO225AA

MJE340G

Manufacturer Part Number
MJE340G
Description
TRANS PWR NPN .5A 300V TO225AA
Manufacturer
ON Semiconductor
Type
Medium Powerr
Datasheets

Specifications of MJE340G

Transistor Type
NPN
Current - Collector (ic) (max)
500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
300V
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Power - Max
20W
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225-3
Transistor Polarity
NPN
Mounting Style
SMD/SMT
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
300 V
Emitter- Base Voltage Vebo
3 V
Maximum Dc Collector Current
0.5 A
Power Dissipation
20 W
Continuous Collector Current
0.5 A
Dc Collector/base Gain Hfe Min
30
Current, Collector
500 mA
Current, Gain
240
Package Type
TO-225
Polarity
NPN
Primary Type
Si
Resistance, Thermal, Junction To Case
6.25 °C/W
Voltage, Breakdown, Collector To Emitter
300 V
Voltage, Collector To Emitter
300 V
Voltage, Emitter To Base
3 V
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Collector Cutoff (max)
-
Frequency - Transition
-
Vce Saturation (max) @ Ib, Ic
-
Lead Free Status / Rohs Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
MJE340GOS

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
MJE340G
Manufacturer:
ON Semiconductor
Quantity:
20 000
Part Number:
MJE340G
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Part Number:
MJE340G
Manufacturer:
ON
Quantity:
6 920
Company:
Part Number:
MJE340G
Quantity:
4 500
Company:
Part Number:
MJE340G
Quantity:
11 000
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJE340
Plastic Medium−Power
NPN Silicon Transistor
Features
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
February, 2006 − Rev. 11
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
Collector Cutoff Current
(V
Emitter Cutoff Current
(V
DC Current Gain
(I
This device is useful for high−voltage general purpose applications.
for High Reliability
C
C
Suitable for Transformerless, Line−Operated Equipment
Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating
Pb−Free Package is Available*
CB
EB
Derate above 25_C
= 1.0 mAdc, I
= 50 mAdc, V
= 3.0 Vdc, I
= 300 Vdc, I
Characteristic
Characteristic
Rating
B
C
CE
E
= 0)
= 0)
= 0)
= 10 Vdc)
C
= 25_C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
(T
C
V
Symbol
Symbol
Symbol
CEO(sus)
T
= 25°C unless otherwise noted)
I
I
h
V
CBO
EBO
J
V
q
P
FE
, T
CEO
I
EB
JC
C
D
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Min
300
–65 to +150
30
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Value
0.16
Max
6.25
300
500
3.0
20
Max
100
100
240
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
mW/_C
mAdc
mAdc
mAdc
_C/W
Unit
Vdc
Unit
Unit
Vdc
Vdc
_C
W
MJE340
MJE340G
Device
POWER TRANSISTOR
300 VOLTS, 20 WATTS
3
ORDERING INFORMATION
2 1
Y
WW
JE340 = Device Code
G
MARKING DIAGRAM
http://onsemi.com
NPN SILICON
0.5 AMPERE
(Pb−Free)
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
Package
TO−225
TO−225
Publication Order Number:
JE340G
YWW
CASE 77
STYLE 1
TO−225
500 Units/Box
500 Units/Box
Shipping
MJE340/D

Related parts for MJE340G

MJE340G Summary of contents

Page 1

... POWER TRANSISTOR NPN SILICON 300 VOLTS, 20 WATTS TO−225 CASE 77 STYLE MARKING DIAGRAM YWW JE340G Y = Year WW = Work Week JE340 = Device Code G = Pb−Free Package ORDERING INFORMATION Device Package Shipping MJE340 TO−225 500 Units/Box TO−225 500 Units/Box MJE340G (Pb−Free) Publication Order Number: MJE340/D ...

Page 2

MJE340 8.0 4 100 T , CASE TEMPERATURE (°C) C Figure 1. Power Temperature Derating ACTIVE−REGION SAFE OPERATING AREA 1.0 0.5 0 150°C J 0.2 dc ...

Page 3

T = 25°C J 150°C 5.0 3.0 2.0 −55 °C 1.0 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0 COLLECTOR CURRENT (AMP) C Figure 4. DC Current Gain 1.0 0.7 D ...

Page 4

... American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Phone: 81−3−5773−3850 http://onsemi.com 4 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. ...

Related keywords