BUL45D2G ON Semiconductor, BUL45D2G Datasheet - Page 3

BUL45D2G

Manufacturer Part Number

BUL45D2G

Description

TRANS NPN 5A 700V 75W TO220AB

Manufacturer

ON Semiconductor

Datasheet

1.BUL45D2G.pdf (11 pages)

Specifications of BUL45D2G

Transistor Type

NPN

Current - Collector (ic) (max)

Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)

400V

Vce Saturation (max) @ Ib, Ic

500mV @ 400mA, 2A

Current - Collector Cutoff (max)

100µA

Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce

10 @ 2A, 1V

Power - Max

75W

Frequency - Transition

13MHz

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3 (Straight Leads)

Transistor Polarity

NPN

Mounting Style

Through Hole

Collector- Emitter Voltage Vceo Max

400 V

Emitter- Base Voltage Vebo

12 V

Maximum Dc Collector Current

5 A

Power Dissipation

75 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Continuous Collector Current

5 A

Dc Collector/base Gain Hfe Min

Maximum Operating Frequency

13 MHz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Other names

BUL45D2GOS

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Meier Automation Equipment Co., Limited

Part Number:

BUL45D2G

Manufacturer:

ON/安森美

Quantity:

20 000

Current page: 3 of 11
Download datasheet (232Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DYNAMIC CHARACTERISTICS

DYNAMIC SATURATION VOLTAGE

SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 20 ms)

SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (V

Dynamic Saturation

Voltage:

Current Gain Bandwidth

Output Capacitance

Input Capacitance

Turn−on Time

Turn−off Time

Turn−on Time

Turn−off Time

Fall Time

Storage Time

Crossover Time

Fall Time

Storage Time

Crossover Time

Determined 1 ms and

3 ms respectively after

rising I

90% of final I

= 0.5 Adc, V

= 8 Vdc)

= 10 Vdc, I

reaches

= 0, f = 1 MHz)

= 10 Vdc, f = 1 MHz)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Characteristic

= 2 Adc, I

= 100 mA

= 0.8 A

= 300 V

= 1 A

= 2 A

= 100 mAdc

= 500 mAdc

= 0.4 Adc

= 300 Vdc

= 1 Adc

= 2 Adc

= 1 Adc

Î Î Î Î

= 0.4 Adc

= 25°C unless otherwise noted)

@ 1 ms

@ 3 ms

@ 1 ms

@ 3 ms

clamp

Î Î Î Î Î

http://onsemi.com

@ T

= 300 V, V

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

Î Î Î Î

= 15 V, L = 200 mH)

Symbol

CE(dsat)

off

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

1.95

Min

2.1

Î Î Î Î

0.35

1.15

0.72

1.05

Typ

340

105

225

450

110

3.7

9.4

2.7

3.9

0.4

1.5

3.1

2.9

Î Î Î Î

Max

2.25

500

150

300

1.3

2.4

0.9

Î Î Î

MHz

Unit

BUL45D2G ON Semiconductor, BUL45D2G Datasheet - Page 3

BUL45D2G

Specifications of BUL45D2G

Available stocks

Related parts for BUL45D2G