2N3055G ON Semiconductor, 2N3055G Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: 2N3055G
• Description: TRANS NPN 15A 60V TO3
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Type: Powerr

Specifications of 2N3055G

• Transistor Type: NPN
• Current - Collector (ic) (max): 15A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 60V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
• Current - Collector Cutoff (max): 700µA
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
• Power - Max: 115W
• Frequency - Transition: 2.5MHz
• Mounting Type: Chassis Mount
• Package / Case: TO-204, TO-3
• Transistor Polarity: NPN
• Mounting Style: Through Hole
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 60 V
• Emitter- Base Voltage Vebo: 7 V
• Maximum Dc Collector Current: 15 A
• Power Dissipation: 115000 mW
• Maximum Operating Temperature: + 200 C
• Dc Collector/base Gain Hfe Min: 20
• Maximum Operating Frequency: 2.5 MHz
• Minimum Operating Temperature: - 65 C
• Current, Collector: 15 A
• Current, Gain: 70
• Frequency: 2.5 MHz
• Package Type: TO-204AA (TO-3)
• Polarity: NPN
• Primary Type: Si
• Resistance, Thermal, Junction To Case: 1.52 °C/W
• Voltage, Breakdown, Collector To Emitter: 60 V
• Voltage, Collector To Base: 100 V
• Voltage, Collector To Emitter: 60 V
• Voltage, Collector To Emitter, Saturation: 1.1 V
• Voltage, Emitter To Base: 7 V
• Number Of Elements: 1
• Collector-emitter Voltage: 60V
• Collector-base Voltage: 100V
• Emitter-base Voltage: 7V
• Collector Current (dc) (max): 15A
• Dc Current Gain (min): 20
• Frequency (max): 2.5MHz
• Operating Temp Range: -65C to 200C
• Operating Temperature Classification: Military
• Mounting: Through Hole
• Pin Count: 2 +Tab
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: 2N3055GOS

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
*Indicates Within JEDEC Registration. (2N3055)
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
OFF CHARACTERISTICS*
ON CHARACTERISTICS* (Note 1)
SECOND BREAKDOWN
DYNAMIC CHARACTERISTICS
THERMAL CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1) (I
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1) (I
Collector Cutoff Current (V
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current (V
DC Current Gain
Collector−Emitter Saturation Voltage
Base−Emitter On Voltage (I
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased
Current Gain − Bandwidth Product (I
*Small−Signal Current Gain (I
*Small−Signal Current Gain Cutoff Frequency (V
Thermal Resistance, Junction−to−Case
0.6
0.4
0.2
20
10
6
4
2
1
6
(V
(V
(I
(I
(I
(I
(V
C
C
C
C
Figure 2. Active Region Safe Operating Area
CE
CE
CE
= 4.0 Adc, V
= 10 Adc, V
= 4.0 Adc, I
= 10 Adc, I
V
= 100 Vdc, V
= 100 Vdc, V
CE
= 40 Vdc, t = 1.0 s, Nonrepetitive)
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
BONDING WIRE LIMIT
THERMALLY LIMITED @ T
SECOND BREAKDOWN LIMIT
10
B
B
CE
CE
= 3.3 Adc)
= 400 mAdc)
BE(off)
BE(off)
BE
dc
= 4.0 Vdc)
= 4.0 Vdc)
CE
C
= 7.0 Vdc, I
= 4.0 Adc, V
C
= 30 Vdc, I
= 1.5 Vdc)
= 1.5 Vdc, T
= 1.0 Adc, V
500 ms
20
C
Characteristic
Characteristic
1 ms
= 0.5 Adc, V
C
C
B
= 25°C (SINGLE PULSE)
= 0)
(T
CE
= 0)
C
C
250 ms
CE
= 150°C)
= 4.0 Vdc)
= 25_C unless otherwise noted)
2N3055(NPN), MJ2955(PNP)
= 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
C
C
CE
= 200 mAdc, I
= 200 mAdc, R
CE
= 4.0 Vdc, I
40
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
http://onsemi.com
50 ms
60
C
B
BE
= 1.0 Adc, f = 1.0 kHz)
= 0)
2
= 100 W)
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
variable depending on power level. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
derated for temperature according to Figure 1.
There are two limitations on the power handling ability of
The data of Figure 2 is based on T
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
V
V
Symbol
Symbol
V
V
CEO(sus)
CER(sus)
R
I
CE(sat)
I
I
BE(on)
h
CEO
CEX
EBO
I
f
h
hfe
qJC
s/b
f
FE
T
fe
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
2.87
Min
5.0
2.5
60
70
20
15
10
−
−
−
−
−
−
Max
1.52
C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
= 25°C; T
Max
120
0.7
1.0
5.0
5.0
1.1
3.0
1.5
70
−
−
−
−
−
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
C
mAdc
mAdc
mAdc
_C/W
J(pk)
MHz
− V
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
kHz
−
−
CE
is