TRANS PWR NPN 20A 140V TO3

MJ15003G

Manufacturer Part NumberMJ15003G
DescriptionTRANS PWR NPN 20A 140V TO3
ManufacturerON Semiconductor
TypePower
MJ15003G datasheets
 

Specifications of MJ15003G

Transistor TypeNPNCurrent - Collector (ic) (max)20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)140VVce Saturation (max) @ Ib, Ic1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (max)250µADc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce25 @ 5A, 2V
Power - Max250WFrequency - Transition2MHz
Mounting TypeChassis MountPackage / CaseTO-204, TO-3
Transistor PolarityNPNMounting StyleThrough Hole
Collector- Emitter Voltage Vceo Max140 VEmitter- Base Voltage Vebo5 V
Maximum Dc Collector Current20 APower Dissipation250 W
Maximum Operating Temperature+ 200 CContinuous Collector Current20 A
Dc Collector/base Gain Hfe Min25Maximum Operating Frequency2 MHz
Minimum Operating Temperature- 65 CCurrent, Collector20 A
Current, Gain150Frequency2 MHz
Package TypeTO-204AA (TO-3)PolarityNPN
Primary TypeSiResistance, Thermal, Junction To Case0.7 °C/W
Voltage, Breakdown, Collector To Emitter140 VVoltage, Collector To Base140 V
Voltage, Collector To Emitter140 VVoltage, Collector To Emitter, Saturation1 V
Voltage, Emitter To Base5 VLead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Other namesMJ15003GOS  
1
Page 1
2
Page 2
3
Page 3
Page 1/3

Download datasheet (61Kb)Embed
Next
MJ15003 (NPN),
MJ15004 (PNP)
Preferred Device
Complementary Silicon
Power Transistors
The MJ15003 and MJ15004 are PowerBaset power transistors
designed for high power audio, disk head positioners and other linear
applications.
Features
High Safe Operating Area (100% Tested) − 5.0 A @ 50 V
For Low Distortion Complementary Designs
High DC Current Gain − h
= 25 (Min) @ I
FE
Pb−Free Packages are Available*
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MAXIMUM RATINGS
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Rating
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector−Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector−Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Emitter−Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector Current − Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Base Current − Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Emitter Current − Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation @ T
= 25°C
C
Derate above 25°C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Operating and Storage Junction
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Temperature Range
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
THERMAL CHARACTERISTICS
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Characteristic
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes 1/16″ from Case for v 10 secs
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
December, 2005 − Rev. 11
= 5 Adc
C
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Value
Unit
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
140
Vdc
CEO
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
140
Vdc
CBO
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
5
Vdc
EBO
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
20
Adc
C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
5
Adc
B
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
25
Adc
E
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
P
250
W
D
1.43
W/°C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
°C
T
, T
–65 to +200
J
stg
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Max
Unit
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
°C/W
R
0.70
qJC
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
°C
T
265
L
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
1
http://onsemi.com
20 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY SILICON
140 VOLTS, 250 WATTS
TO−204AA (TO−3)
CASE 1−07
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
MJ1500xG
AYYWW
MEX
MJ1500x = Device Code
x = 3 or 4
G
= Pb−Free Package
A
= Location Code
YY
= Year
WW
= Work Week
MEX
= Country of Orgin
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MJ15003
TO−204AA
100 Units/Tray
MJ15003G
TO−204AA
100 Units/Tray
(Pb−Free)
MJ15004
TO−204AA
100 Units/Tray
MJ15004G
TO−204AA
100 Units/Tray
(Pb−Free)
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
Publication Order Number:
MJ15003/D

MJ15003G Summary of contents

  • Page 1

    ... Year WW = Work Week MEX = Country of Orgin ORDERING INFORMATION Device Package Shipping MJ15003 TO−204AA 100 Units/Tray MJ15003G TO−204AA 100 Units/Tray (Pb−Free) MJ15004 TO−204AA 100 Units/Tray MJ15004G TO−204AA 100 Units/Tray (Pb−Free) Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value. ...

  • Page 2

    ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î ...

  • Page 3

    ... American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Phone: 81−3−5773−3850 http://onsemi.com 3 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. ...