MJE15032G ON Semiconductor, MJE15032G Datasheet

TRANS PWR NPN 8A 250V TO220AB

MJE15032G

Manufacturer Part Number
MJE15032G
Description
TRANS PWR NPN 8A 250V TO220AB
Manufacturer
ON Semiconductor
Type
Powerr
Datasheets

Specifications of MJE15032G

Transistor Type
NPN
Current - Collector (ic) (max)
8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
250V
Vce Saturation (max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce
10 @ 2A, 5V
Power - Max
2W
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 (Straight Leads)
Transistor Polarity
NPN
Mounting Style
Through Hole
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
250 V
Emitter- Base Voltage Vebo
5 V
Maximum Dc Collector Current
8 A
Power Dissipation
50 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current
8 A
Dc Collector/base Gain Hfe Min
10
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Current, Collector
8 A
Current, Gain
10
Frequency
30 MHz
Package Type
TO-220AB
Polarity
NPN
Primary Type
Si
Resistance, Thermal, Junction To Case
2.5 °C/W
Voltage, Breakdown, Collector To Emitter
250 V
Voltage, Collector To Base
250 V
Voltage, Collector To Emitter
220 V
Voltage, Collector To Emitter, Saturation
0.5 V
Voltage, Emitter To Base
5 V
Number Of Elements
1
Collector-emitter Voltage
250V
Collector-base Voltage
250V
Emitter-base Voltage
5V
Collector Current (dc) (max)
8A
Dc Current Gain (min)
70
Frequency (max)
30MHz
Operating Temp Range
-65C to 150C
Operating Temperature Classification
Military
Mounting
Through Hole
Pin Count
3 +Tab
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Collector Cutoff (max)
-
Lead Free Status / Rohs Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
MJE15032GOS

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
MJE15032G
Manufacturer:
EPCOS
Quantity:
30 000
Part Number:
MJE15032G
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Company:
Part Number:
MJE15032G
Quantity:
2 100
Company:
Part Number:
MJE15032G
Quantity:
450
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJE15032 (NPN),
MJE15033 (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
Features
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
June, 2005 − Rev. 3
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Base Current
Total Power Dissipation @ T
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Thermal Resistance,
Thermal Resistance,
Designed for use as high−frequency drivers in audio amplifiers.
DC Current Gain Specified to 5.0 Amperes
Collector−Emitter Sustaining Voltage −
High Current Gain − Bandwidth Product
TO−220AB Compact Package
Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
ESD Ratings: Machine Model C
Pb−Free Packages are Available*
Derate above 25_C
Derate above 25_C
Temperature Range
Junction−to−Case
Junction−to−Ambient
h
V
f
T
Characteristic
FE
CEO(sus)
= 30 MHz (Min) @ I
= 70 (Min) @ I
= 10 (Min) @ I
Rating
Human Body Model 3B
− Peak
= 250 Vdc (Min) − MJE15032, MJE15033
Preferred Devices
A
C
= 25_C
= 25_C
C
C
= 0.5 Adc
= 2.0 Adc
C
= 500 mAdc
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
R
R
J
V
V
P
P
, T
CEO
I
I
qJC
qJA
CB
EB
C
B
D
D
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
– 65 to
Value
0.016
+ 150
0.40
Max
62.5
250
250
5.0
8.0
2.0
2.0
2.5
16
50
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
W/_C
W/_C
_C/W
_C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_C
W
W
†For information on tape and reel specifications,
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
MJE15032
MJE15032G
MJE15033
MJE15033G
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
1
COMPLEMENTARY SILICON
2
Device
3
POWER TRANSISTORS
250 VOLTS, 50 WATTS
ORDERING INFORMATION
MJE1503x = Specific Device Code
x
A
Y
W
G
4
8.0 AMPERES
http://onsemi.com
(Pb−Free)
(Pb−Free)
CASE 221A
Package
TO−220
TO−220
TO−220
TO−220
= 2 or 3
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Pb−Package
STYLE 1
TO−220
Publication Order Number:
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
Shipping
MARKING
DIAGRAM
MJE15032/D
MJE1503xG
A
AKA
YW

Related parts for MJE15032G

MJE15032G Summary of contents

Page 1

... Y = Year W = Work Week G = Pb−Package ORDERING INFORMATION Device Package Shipping MJE15032 TO−220 50 Units/Rail MJE15032G TO−220 50 Units/Rail (Pb−Free) MJE15033 TO−220 50 Units/Rail MJE15033G TO−220 50 Units/Rail (Pb−Free) †For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D ...

Page 2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î ...

Page 3

MJE15032 (NPN), MJE15033 (PNP) 1.0 0 0.5 0.5 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 0.05 0.07 0.05 0.02 0.03 0.02 0.01 SINGLE PULSE 0.01 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 100 250 ms 1.0 0.1 0.01 1.0 ...

Page 4

MJE15032 (NPN), MJE15033 (PNP) NPN − MJE15032 1000 150°C 25°C 100 −55°C 10 1.0 0.1 1 COLLECTOR CURRENT (AMPS) C Figure 4. NPN − MJE15032 Current Gain CE 10 −55°C 1.0 25°C 150°C ...

Page 5

MJE15032 (NPN), MJE15033 (PNP) NPN − MJE15032 100 10 25°C 1.0 0.1 0.01 0.1 1 COLLECTOR CURRENT (AMPS) C Figure 10. NPN − MJE15032 CE(sat −55°C 1.0 25°C 150°C 0.1 ...

Page 6

... American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Phone: 81−3−5773−3850 http://onsemi.com 6 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. ...

Related keywords