Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJE15032 (NPN),
MJE15033 (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
Features
•
•
•
•
•
•
•
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
June, 2005 − Rev. 3
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Base Current
Total Power Dissipation @ T
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Thermal Resistance,
Thermal Resistance,
Designed for use as high−frequency drivers in audio amplifiers.
DC Current Gain Specified to 5.0 Amperes
Collector−Emitter Sustaining Voltage −
High Current Gain − Bandwidth Product
TO−220AB Compact Package
Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
ESD Ratings: Machine Model C
Pb−Free Packages are Available*
Derate above 25_C
Derate above 25_C
Temperature Range
Junction−to−Case
Junction−to−Ambient
h
V
f
T
Characteristic
FE
CEO(sus)
= 30 MHz (Min) @ I
= 70 (Min) @ I
= 10 (Min) @ I
Rating
Human Body Model 3B
− Peak
= 250 Vdc (Min) − MJE15032, MJE15033
Preferred Devices
A
C
= 25_C
= 25_C
C
C
= 0.5 Adc
= 2.0 Adc
C
= 500 mAdc
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
R
R
J
V
V
P
P
, T
CEO
I
I
qJC
qJA
CB
EB
C
B
D
D
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
– 65 to
Value
0.016
+ 150
0.40
Max
62.5
250
250
5.0
8.0
2.0
2.0
2.5
16
50
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
W/_C
W/_C
_C/W
_C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_C
W
W
†For information on tape and reel specifications,
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
MJE15032
MJE15032G
MJE15033
MJE15033G
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
1
COMPLEMENTARY SILICON
2
Device
3
POWER TRANSISTORS
250 VOLTS, 50 WATTS
ORDERING INFORMATION
MJE1503x = Specific Device Code
x
A
Y
W
G
4
8.0 AMPERES
http://onsemi.com
(Pb−Free)
(Pb−Free)
CASE 221A
Package
TO−220
TO−220
TO−220
TO−220
= 2 or 3
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Pb−Package
STYLE 1
TO−220
Publication Order Number:
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
Shipping
MARKING
DIAGRAM
MJE15032/D
MJE1503xG
A
AKA
YW
†