TIP3055 (NPN),
TIP2955 (PNP)
Complementary Silicon
Power Transistors
Designed for general−purpose switching and amplifier applications.
Features
•
DC Current Gain −
h
= 20−70 @ I
FE
C
= 4.0 Adc
•
Collector−Emitter Saturation Voltage −
V
= 1.1 Vdc (Max) @ I
CE(sat)
= 4.0 Adc
•
Excellent Safe Operating Area
•
Pb−Free Packages are Available*
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MAXIMUM RATINGS
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Rating
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector − Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector − Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector − Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Emitter − Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector Current − Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Base Current
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation @ T
= 25_C
C
Derate above 25_C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Operating and Storage Junction
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Temperature Range
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
THERMAL CHARACTERISTICS
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Characteristic
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
September, 2005 − Rev. 6
C
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Value
Unit
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
60
Vdc
CEO
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
70
Vdc
CER
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
100
Vdc
CB
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
7.0
Vdc
EB
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
1 5
Adc
C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
7.0
Adc
B
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
P
90
W
D
0.72
W/_C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
_C
T
, T
– 65 to
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
J
stg
+ 150
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Max
Unit
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
_C/W
R
1.39
qJC
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
_C/W
R
35.7
qJA
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
1
http://onsemi.com
15 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY SILICON
60 VOLTS, 90 WATTS
SOT−93 (TO−218)
CASE 340D
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
AYWWG
TIPxx55
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW
= Work Week
TIPxx55
= Device Code
xx
= 30 or 29
G
= Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
Publication Order Number:
TIP3055/D