TRANS NPN 15A 60V TO-218

TIP3055G

Manufacturer Part NumberTIP3055G
DescriptionTRANS NPN 15A 60V TO-218
ManufacturerON Semiconductor
TIP3055G datasheet
 


Specifications of TIP3055G

Transistor TypeNPNCurrent - Collector (ic) (max)15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)60VVce Saturation (max) @ Ib, Ic3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (max)700µADc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce20 @ 4A, 4V
Power - Max90WFrequency - Transition2.5MHz
Mounting TypeThrough HolePackage / CaseSOT-93, TO-218 (Straight Leads)
Transistor PolarityNPNNumber Of Elements1
Collector-emitter Voltage60VCollector-base Voltage(max)100V
Emitter-base Voltage (max)7VCollector Current (dc) (max)15A
Dc Current Gain (min)20Power Dissipation90W
Frequency (max)2.5MHzOperating Temp Range-65C to 150C
Operating Temperature ClassificationMilitaryMountingThrough Hole
Pin Count3 +TabPackage TypeSOT-93
Mounting StyleSMD/SMTCollector- Emitter Voltage Vceo Max60 V
Emitter- Base Voltage Vebo7 VMaximum Dc Collector Current15 A
Maximum Operating Temperature+ 150 CContinuous Collector Current1.5 A
Dc Collector/base Gain Hfe Min20Maximum Operating Frequency2.5 MHz
Minimum Operating Temperature- 65 CLead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Other namesTIP3055GOS  
1
Page 1
2
Page 2
3
Page 3
4
Page 4
Page 1/4

Download datasheet (62Kb)Embed
Next
TIP3055 (NPN),
TIP2955 (PNP)
Complementary Silicon
Power Transistors
Designed for general−purpose switching and amplifier applications.
Features
DC Current Gain −
h
= 20−70 @ I
FE
C
= 4.0 Adc
Collector−Emitter Saturation Voltage −
V
= 1.1 Vdc (Max) @ I
CE(sat)
= 4.0 Adc
Excellent Safe Operating Area
Pb−Free Packages are Available*
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MAXIMUM RATINGS
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Rating
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector − Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector − Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector − Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Emitter − Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector Current − Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Base Current
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation @ T
= 25_C
C
Derate above 25_C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Operating and Storage Junction
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Temperature Range
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
THERMAL CHARACTERISTICS
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Characteristic
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
September, 2005 − Rev. 6
C
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Value
Unit
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
60
Vdc
CEO
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
70
Vdc
CER
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
100
Vdc
CB
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
7.0
Vdc
EB
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
1 5
Adc
C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
7.0
Adc
B
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
P
90
W
D
0.72
W/_C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
_C
T
, T
– 65 to
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
J
stg
+ 150
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Max
Unit
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
_C/W
R
1.39
qJC
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
_C/W
R
35.7
qJA
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
1
http://onsemi.com
15 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY SILICON
60 VOLTS, 90 WATTS
SOT−93 (TO−218)
CASE 340D
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
AYWWG
TIPxx55
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW
= Work Week
TIPxx55
= Device Code
xx
= 30 or 29
G
= Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
Publication Order Number:
TIP3055/D

TIP3055G Summary of contents

  • Page 1

    ... Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2005 September, 2005 − Rev Î ...

  • Page 2

    ... ORDERING INFORMATION Device TIP3055 TIP3055G TIP2955 TIP2955G Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î ...

  • Page 3

    SECONDARY BREAKDOWN LIMIT BONDING WIRE LIMIT 1.0 THERMAL LIMIT @ T = 25°C C 0.5 0 150°C 0.2 J 0.1 1.0 2.0 4.0 ...

  • Page 4

    ... American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Phone: 81−3−5773−3850 http://onsemi.com 4 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. ...