TRANS POWER NPN 1.5A 400V TO-225

MJE13003G

Manufacturer Part NumberMJE13003G
DescriptionTRANS POWER NPN 1.5A 400V TO-225
ManufacturerON Semiconductor
SeriesSWITCHMODE™
MJE13003G datasheet
 


Specifications of MJE13003G

Transistor TypeNPNCurrent - Collector (ic) (max)1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)400VVce Saturation (max) @ Ib, Ic3V @ 500mA, 1.5A
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce8 @ 500mA, 2VPower - Max1.4W
Frequency - Transition10MHzMounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-225-3Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Collector Cutoff (max)-Other namesMJE13003G
MJE13003GOS
1
Page 1
2
Page 2
3
Page 3
4
Page 4
5
Page 5
6
Page 6
7
Page 7
8
Page 8
Page 1/8

Download datasheet (108Kb)Embed
Next
MJE13003
SWITCHMODEt Series NPN
Silicon Power Transistor
These devices are designed for high−voltage, high−speed power
switching inductive circuits where fall time is critical. They are
particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications
such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,
Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.
Features
Reverse Biased SOA with Inductive Loads @ T
Inductive Switching Matrix 0.5 to 1.5 A, 25 and 100_C
t
@ 1 A, 100_C is 290 ns (Typ)
c
700 V Blocking Capability
SOA and Switching Applications Information
Pb−Free Package is Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector−Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector−Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Emitter Base Voltage
Collector Current
− Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
− Peak (Note 1)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Base Current
− Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
− Peak (Note 1)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Emitter Current
− Continuous
− Peak (Note 1)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation @ T
= 25_C
A
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Derate above 25_C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation @ T
= 25_C
C
Derate above 25_C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Operating and Storage Junction
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Temperature Range
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Maximum Load Temperature for Soldering
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
January, 2006 − Rev. 2
= 100_C
C
Symbol
Value
Unit
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
V
400
Vdc
CEO(sus)
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
700
Vdc
CEV
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
9
Vdc
EBO
I
1.5
Adc
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
C
I
3
CM
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
0.75
Adc
B
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
I
1.5
BM
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
2.25
Adc
E
I
4.5
EM
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
P
1.4
W
D
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
11.2
mW/_C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
P
40
W
D
320
mW/_C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
_C
T
, T
–65 to
J
stg
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
+150
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Max
Unit
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
_C/W
R
3.12
qJC
_C/W
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
R
89
qJA
_C
Î Î Î
Î Î Î
T
Î Î Î Î
Î Î Î Î
275
Î Î Î
Î Î Î
L
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
1
http://onsemi.com
1.5 AMPERES
NPN SILICON POWER
TRANSISTORS
300 AND 400 VOLTS
40 WATTS
TO−225
CASE 77
STYLE 3
3
2 1
MARKING DIAGRAM
1 BASE
YWW
2 COLLECTOR
JE
13003G
3 EMITTER
Y
= Year
WW
= Work Week
JE13003
= Device Code
G
= Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MJE13003
TO−225
500 Units/Box
TO−225
500 Units/Box
MJE13003G
(Pb−Free)
Publication Order Number:
MJE13003/D

MJE13003G Summary of contents

  • Page 1

    ... AND 400 VOLTS 40 WATTS TO−225 CASE 77 STYLE MARKING DIAGRAM 1 BASE YWW 2 COLLECTOR JE 13003G 3 EMITTER Y = Year WW = Work Week JE13003 = Device Code G = Pb−Free Package ORDERING INFORMATION Device Package Shipping MJE13003 TO−225 500 Units/Box TO−225 500 Units/Box MJE13003G (Pb−Free) Publication Order Number: MJE13003/D ...

  • Page 2

    ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î ...

  • Page 3

    T = 150° 25°C 20 −55 ° 0.02 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0. COLLECTOR CURRENT (AMP) C Figure ...

  • Page 4

    Table 1. Test Conditions for Dynamic Performance REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA AND INDUCTIVE SWITCHING 1N4933 0.001 2N222 DUTY CYCLE ≤ 10% 68 ≤ ...

  • Page 5

    I CPK 90% V clamp 10 clamp I 90 TIME Figure 7. Inductive Switching Measurements NOTE: All Data Recorded in the Inductive Switching Circuit in Table 1 In ...

  • Page 6

    RESISTIVE SWITCHING PERFORMANCE 125 0 25° 0.5 0.3 0 BE(off) 0.1 0.07 0.05 0.03 0.02 0.02 ...

  • Page 7

    The Safe Operating Area figures shown in Figures 11 and 12 are specified ratings for these devices under the test conditions shown 5 0 25°C C 0.2 THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE) 0.1 ...

  • Page 8

    ... American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Phone: 81−3−5773−3850 http://onsemi.com 8 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. ...