MJE13003G ON Semiconductor, MJE13003G Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: MJE13003G
• Description: TRANS POWER NPN 1.5A 400V TO-225
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Series: SWITCHMODE™r

Specifications of MJE13003G

• Transistor Type: NPN
• Current - Collector (ic) (max): 1.5A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 400V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
• Power - Max: 1.4W
• Frequency - Transition: 10MHz
• Mounting Type: Through Hole
• Package / Case: TO-225-3
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Current - Collector Cutoff (max): -
• Other names: MJE13003G; MJE13003GOS

NOTE: All Data Recorded in the Inductive Switching Circuit in Table 1
have been defined and apply to both current and voltage
waveforms since they are in phase. However, for inductive
loads which are common to SWITCHMODE power
supplies and hammer drivers, current and voltage
waveforms are not in phase. Therefore, separate
measurements must be made on each waveform to
determine the total switching time. For this reason, the
following new terms have been defined.
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
t
t
t
t
t
sv
rv
fi
ti
c
V
I
I
= Crossover Time, 10% V
B
= Current Fall Time, 90−10% I
= Current Tail, 10−2% I
C
CE
Figure 7. Inductive Switching Measurements
= Voltage Rise Time, 10−90% V
= Voltage Storage Time, 90% I
90% I
B1
t
sv
I
CPK
TIME
90% V
C
clamp
10% V
clamp
t
rv
clamp
B1
C
to 10% I
t
c
clamp
to 10% V
90% I
t
fi
10%
I
C
CPK
V
C
clamp
SWITCHING TIMES NOTE
t
ti
clamp
2% I
http://onsemi.com
C
MJE13003
5
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Table 2. Typical Inductive Switching Performance
waveforms is shown in Figure 7 to aid in the visual identity
of these terms.
storage time and the predominant switching power losses
occur during the crossover interval and can be obtained
using the standard equation from AN−222:
P
this relationship may not be valid.
switching is specified at 25_C and has become a benchmark
for designers. However, for designers of high frequency
converter circuits, the user oriented specifications which
make this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive
switching speeds (t
SWT
AMP
An enlarged portion of the inductive switching
For the designer, there is minimal switching loss during
In general, t
As is common with most switching transistors, resistive
0.5
1.5
I
1
C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
= 1/2 V
100
100
100
T
_C
25
25
25
C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
CC
rv
I
+ t
C
c
1.3
1.6
1.5
1.7
1.8
(t
t
ms
fi
sv
3
and t
c
)f
] t
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
sv
c
. However, at lower test currents
0.23
0.26
0.10
0.13
0.07
0.08
) which are guaranteed at 100_C.
t
ms
rv
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
0.30
0.30
0.14
0.26
0.10
0.22
ms
t
fi
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
0.35
0.40
0.05
0.06
0.05
0.08
ms
t
ti
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
0.30
0.36
0.16
0.29
0.16
0.28
ms
t
c