TRANS NPN 3A 80V HI PWR TO220AB

TIP31B

Manufacturer Part NumberTIP31B
DescriptionTRANS NPN 3A 80V HI PWR TO220AB
ManufacturerON Semiconductor
TIP31B datasheet
 


Specifications of TIP31B

Transistor TypeNPNCurrent - Collector (ic) (max)3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)80VVce Saturation (max) @ Ib, Ic1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (max)300µADc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce10 @ 3A, 4V
Power - Max2WFrequency - Transition3MHz
Mounting TypeThrough HolePackage / CaseTO-220-3 (Straight Leads)
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliantOther namesTIP31BOS
1
Page 1
2
Page 2
3
Page 3
4
Page 4
5
Page 5
6
Page 6
Page 1/6

Download datasheet (127Kb)Embed
Next
TIP31, TIP31A, TIP31B,
TIP31C, (NPN), TIP32,
TIP32A, TIP32B, TIP32C,
(PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
Features
Collector−Emitter Saturation Voltage −
V
= 1.2 Vdc (Max) @ I
CE(sat)
Collector−Emitter Sustaining Voltage −
V
= 40 Vdc (Min) − TIP31, TIP32
CEO(sus)
= 60 Vdc (Min) − TIP31A, TIP32A
= 80 Vdc (Min) − TIP31B, TIP32B
= 100 Vdc (Min) − TIP31C, TIP32C
High Current Gain − Bandwidth Product
f
= 3.0 MHz (Min) @ I
T
Compact TO−220 AB Package
Pb−Free Packages are Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector − Emitter Voltage
TIP31, TIP32
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
TIP31A, TIP32A
TIP31B, TIP32B
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
TIP31C, TIP32C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector−Base Voltage
TIP31, TIP32
TIP31A, TIP32A
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
TIP31B, TIP32B
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
TIP31C, TIP32C
Emitter−Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector Current
Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Peak
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Base Current
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation
@ T
= 25°C
C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Derate above 25°C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation
@ T
= 25°C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
A
Derate above 25°C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Unclamped Inductive Load Energy (Note 1)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Operating and Storage Junction
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Temperature Range
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. I
= 1.8 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, V
C
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008
December, 2008 − Rev. 12
= 3.0 Adc
C
= 500 mAdc
C
Symbol
Value
Unit
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
40
Vdc
CEO
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
60
80
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
100
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
40
Vdc
CB
60
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
80
100
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
5.0
Vdc
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
EB
I
3.0
Adc
C
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
5.0
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
1.0
Adc
B
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
P
D
40
W
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
0.32
W/°C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
P
D
Î Î Î Î
Î Î Î
2.0
Î Î Î
W
0.016
W/°C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
E
32
mJ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
T
, T
– 65 to
°C
J
stg
Î Î Î Î
Î Î Î
+ 150
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
= 10 V, R
= 100 W
CC
BE
1
http://onsemi.com
3 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY SILICON
40−60−80−100 VOLTS,
40 WATTS
MARKING
DIAGRAM
4
TO−220AB
CASE 221A
TIP3xxG
STYLE 1
AYWW
1
PIN 1. BASE
2
2. COLLECTOR
3
3. EMITTER
4. COLLECTOR
TIP3xx
= Device Code
xx
= 1, 1A, 1B, 1C,
2, 2A, 2B, 2C,
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW
= Work Week
G
Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
Publication Order Number:
TIP31A/D

TIP31B Summary of contents

  • Page 1

    ... Vdc (Max CE(sat) • Collector−Emitter Sustaining Voltage − Vdc (Min) − TIP31, TIP32 CEO(sus Vdc (Min) − TIP31A, TIP32A = 80 Vdc (Min) − TIP31B, TIP32B = 100 Vdc (Min) − TIP31C, TIP32C • High Current Gain − Bandwidth Product f = 3.0 MHz (Min • ...

  • Page 2

    ... TIP32CG Characteristic (T = 25°C unless otherwise noted) C Characteristic TIP31, TIP32 TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP32B TIP31C, TIP32C = 0) TIP31, TIP32, TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP31C, TIP32B, TIP32C B TIP31, TIP32 TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP32B TIP31C, TIP32C = 4.0 Vdc) = 4.0 Vdc) = 3.0 Adc 375 mAdc 4.0 Vdc) ...

  • Page 3

    4.0 30 3.0 20 2 TURN−ON PULSE V CC APPROX + EB(off APPROX + ≤ 7.0 ...

  • Page 4

    ... LIMITED @ T J THERMAL LIMIT @ T = 25°C 0.5 C (SINGLE PULSE) BONDING WIRE LIMIT TIP31A, TIP32A 0.2 CURVES APPLY TIP31B, TIP32B BELOW RATED V CEO TIP31C, TIP32C 0.1 5 COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS) CE Figure 5. Active Region Safe Operating Area 3.0 2.0 ′ ...

  • Page 5

    T = 150°C J 25°C 100 70 - 55° 7.0 5.0 0.03 0.05 0.07 0.1 0.3 0 COLLECTOR CURRENT (AMP) C Figure 8. DC Current Gain 1 25°C J 1.2 1.0 ...

  • Page 6

    ... Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303− ...