TIP31A ON Semiconductor, TIP31A Datasheet

TRANS NPN 3A 60V HI PWR TO220AB

TIP31A

Manufacturer Part Number
TIP31A
Description
TRANS NPN 3A 60V HI PWR TO220AB
Manufacturer
ON Semiconductor
Datasheet

Specifications of TIP31A

Transistor Type
NPN
Current - Collector (ic) (max)
3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
60V
Vce Saturation (max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (max)
300µA
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Power - Max
2W
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 (Straight Leads)
Lead Free Status / RoHS Status
Contains lead / RoHS non-compliant
Other names
TIP31AOS

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
TIP31A
Manufacturer:
NS
Quantity:
240
Part Number:
TIP31A
Manufacturer:
ST
Quantity:
20 000
Company:
Part Number:
TIP31A
Quantity:
300
Part Number:
TIP31AG
Manufacturer:
TI
Quantity:
8 313
Company:
Part Number:
TIP31AG
Quantity:
757
Part Number:
TIP31ATU
Manufacturer:
Fairchild Semiconductor
Quantity:
1 914
Part Number:
TIP31ATU
Manufacturer:
FAIRCHILD/仙童
Quantity:
20 000
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
TIP31, TIP31A, TIP31B,
TIP31C, (NPN), TIP32,
TIP32A, TIP32B, TIP32C,
(PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
applications.
Features
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. I
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008
December, 2008 − Rev. 12
MAXIMUM RATINGS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector − Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation
Total Power Dissipation
Unclamped Inductive Load Energy (Note 1)
Operating and Storage Junction
Designed for use in general purpose amplifier and switching
Collector−Emitter Saturation Voltage −
Collector−Emitter Sustaining Voltage −
High Current Gain − Bandwidth Product
Compact TO−220 AB Package
Pb−Free Packages are Available*
C
@ T
Derate above 25°C
@ T
Derate above 25°C
Temperature Range
= 1.8 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, V
A
C
= 25°C
= 25°C
V
V
f
T
CE(sat)
CEO(sus)
= 3.0 MHz (Min) @ I
Rating
= 1.2 Vdc (Max) @ I
= 40 Vdc (Min) − TIP31, TIP32
= 60 Vdc (Min) − TIP31A, TIP32A
= 80 Vdc (Min) − TIP31B, TIP32B
= 100 Vdc (Min) − TIP31C, TIP32C
TIP31C, TIP32C
TIP31C, TIP32C
TIP31A, TIP32A
TIP31B, TIP32B
TIP31A, TIP32A
TIP31B, TIP32B
Continuous
Peak
TIP31, TIP32
TIP31, TIP32
C
CC
= 500 mAdc
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
= 10 V, R
C
Symbol
T
V
= 3.0 Adc
J
V
V
P
P
, T
CEO
I
I
E
CB
EB
C
B
D
D
stg
BE
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
= 100 W
– 65 to
Value
0.016
+ 150
0.32
100
100
5.0
3.0
5.0
1.0
2.0
40
60
80
40
60
80
40
32
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
W/°C
W/°C
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
mJ
°C
W
W
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
1
2
COMPLEMENTARY SILICON
3
POWER TRANSISTORS
40−60−80−100 VOLTS,
TIP3xx
xx
A
Y
WW
G
ORDERING INFORMATION
http://onsemi.com
4
3 AMPERE
40 WATTS
CASE 221A
TO−220AB
PIN 1. BASE
= Device Code
= 1, 1A, 1B, 1C,
= Assembly Location
= Year
= Work Week
STYLE 1
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
2, 2A, 2B, 2C,
Pb−Free Package
Publication Order Number:
MARKING
DIAGRAM
TIP3xxG
AYWW
TIP31A/D

Related parts for TIP31A

TIP31A Summary of contents

Page 1

... Vdc (Max CE(sat) • Collector−Emitter Sustaining Voltage − Vdc (Min) − TIP31, TIP32 CEO(sus Vdc (Min) − TIP31A, TIP32A = 80 Vdc (Min) − TIP31B, TIP32B = 100 Vdc (Min) − TIP31C, TIP32C • High Current Gain − Bandwidth Product f = 3.0 MHz (Min • ...

Page 2

... TIP32B TIP32BG TIP32C TIP32CG Characteristic (T = 25°C unless otherwise noted) C Characteristic TIP31, TIP32 TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP32B TIP31C, TIP32C = 0) TIP31, TIP32, TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP31C, TIP32B, TIP32C B TIP31, TIP32 TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP32B TIP31C, TIP32C = 4.0 Vdc) = 4.0 Vdc) = 3.0 Adc, I ...

Page 3

4.0 30 3.0 20 2 TURN−ON PULSE V CC APPROX + EB(off APPROX + ≤ 7.0 ...

Page 4

... SECONDARY BREAKDOWN 1.0 ≤ 150°C LIMITED @ T J THERMAL LIMIT @ T = 25°C 0.5 C (SINGLE PULSE) BONDING WIRE LIMIT TIP31A, TIP32A 0.2 CURVES APPLY TIP31B, TIP32B BELOW RATED V CEO TIP31C, TIP32C 0.1 5 COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS) CE Figure 5. Active Region Safe Operating Area 3 ...

Page 5

T = 150°C J 25°C 100 70 - 55° 7.0 5.0 0.03 0.05 0.07 0.1 0.3 0 COLLECTOR CURRENT (AMP) C Figure 8. DC Current Gain 1 25°C J 1.2 1.0 ...

Page 6

... S 0.045 0.055 1.15 1.39 T 0.235 0.255 5.97 6.47 U 0.000 0.050 0.00 1.27 V 0.045 --- 1.15 --- Z --- 0.080 --- 2.04 STYLE 1: PIN 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR ON Semiconductor Website: www.onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit For additional information, please contact your local Sales Representative TIP31A/D ...

Related keywords