Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJE371
Plastic Medium−Power
PNP Silicon Transistor
switching circuits. Recommended for use in 5 to 20 Watt audio
amplifiers utilizing complementary symmetry circuitry.
Features
•
•
•
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
February, 2006 − Rev. 6
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
Collector−Base Cutoff Current
(V
Emitter−Base Cutoff Current
(V
DC Current Gain (Note 1)
(I
This device is designed for use in general−purpose amplifier and
C
C
DC Current Gain − h
MJE371 is Complementary to NPN MJE521
Pb−Free Package is Available*
CB
EB
Derate above 25_C
= 100 mAdc, I
= 1.0 Adc, V
= 4.0 Vdc, I
= 40 Vdc, I
Characteristic
Characteristic
CE
E
Rating
C
B
= 0)
= 0)
= 1.0 Vdc)
= 0) (Note 1)
− Continuous
− Continuous
− Peak
FE
C
= 40 (Min) @ I
= 1.0 Adc
= 25_C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
(T
C
V
Symbol
Symbol
Symbol
CEO(sus)
T
= 25°C unless otherwise noted)
I
I
h
V
CBO
EBO
J
V
V
q
P
FE
, T
CEO
I
I
C
CB
EB
JC
C
B
D
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Min
–65 to +150
40
40
−
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Value
Max
3.12
320
4.0
4.0
8.0
2.0
40
40
40
Max
100
100
−
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
mW/_C
mAdc
mAdc
_C/W
Unit
Vdc
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_C
−
W
MJE371
MJE371G
Device
POWER TRANSISTOR
3
40 VOLTS, 40 WATTS
ORDERING INFORMATION
2 1
Y
WW
JE371 = Device Code
G
MARKING DIAGRAM
http://onsemi.com
PNP SILICON
4 AMPERES
(Pb−Free)
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
Package
TO−225
TO−225
Publication Order Number:
JE371G
YWW
CASE 77
STYLE 1
TO−225
500 Units/Box
500 Units/Box
Shipping
MJE371/D