SPL LL90_3 OSRAM Opto Semiconductors Inc, SPL LL90_3 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: SPL LL90_3
• Description: Laser Diodes HYBRID NANOSTACK 70 W, 905 nm
• Manufacturer: OSRAM Opto Semiconductors Inc
• Type: QW-LDr

Specifications of SPL LL90_3

• Peak Wavelength: 915nm
• Beam Divergence Parallel: 18°
• Beam Divergence Perpendicular: 33°
• Operating Temperature Classification: Industrial
• Power Supply Requirement: Single
• Operating Supply Voltage (max): 20V
• Operating Temp Range: -40C to 85C
• Mounting: Through Hole
• Pin Count: 3
• Lead Free Status / RoHS Status: Compliant
• Other names: Q65110A1009

Optische Kennwerte (
Optical Characteristics
Parameter
Parameter
Zentrale Emissionswellenlänge
Emission wavelength
Spektralbreite (Halbwertsbreite)
Spectral width (FWHM)
Spitzenausgangsleistung
Peak output power
Ladespannung an der Laserschwelle
Charge Voltage at laser threshold
Pulsbreite (Halbwertsbreite)
Pulse width (FWHM)
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)
Rise and fall time (10% … 90%)
Jitter (bzgl. Triggersignal und optischem Puls)
Jitter (regarding trigger signal and optical pulse)
Austrittsöffnung
Aperture size
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum
pn-Übergang
Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum
pn-Übergang
Beam divergence (FWHM) perpendicular to pn-junction
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength
Thermischer Widerstand
Thermal resistance
Einschaltpunkt der Gate-Spannung
Switch on gate voltage
1)
2)
2009-03-04
Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: >50 ns Pulsbreite, 1 kHz Pulswiederholrate, 18.5 V Ladespannung, 15
V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem MOSFET-Treiber Elantec EL7104C.
Values refer to the following standard operating conditions: >50 ns pulse width, 1 kHz pulse repetition rate, 18.5 V charge voltage, 15
V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec EL7104C.
Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300 pF) des internen
Transistors geladen wird. Kürzere Pulsbreiten, Anstiegs- und Abfallzeiten erhält man bei Trigger-Pulsbreiten <50 ns. Dies bewirkt
jedoch auch eine reduzierte optische Spitzenleistung.
Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300 pF) of the internal transistor. Reduced
pulse widths, rise and fall times occur at trigger pulse widths <50 ns. This also reduces the optical peak power.
1)
1)
1)
1), 2)
1)
T
1)
A
1)
= 25 °C)
1), 2)
1)
1)
1), 2)
1), 2)
1)
1)
3
Symbol
Symbol
λ
Δλ
P
U
t
t
t
t
w
θ
θ
∂λ / ∂
R
V
p
r
f
j
||
⊥
,
opt
th
G on
C, th
×
h
T
min.
895
–
60
4.0
37
7
40
–
12
27
–
–
–
typ.
905
7
4.5
40
10
45
170
200 × 10 –
15
30
0.30
200
5.0
70
Values
Werte
max.
915
–
80
5.0
43
13
50
500
18
33
0.33
–
–
SPL LL90_3
Einheit
Unit
nm
nm
W
V
ns
ns
ns
ps
μm
Grad
deg.
Grad
deg.
nm/K
K/W
V
2