SPL LL85 OSRAM Opto Semiconductors Inc, SPL LL85 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: SPL LL85
• Description: Laser Diodes HYBRID 14 W, 850 nm
• Manufacturer: OSRAM Opto Semiconductors Inc
• Type: QW-LDr

Specifications of SPL LL85

• Peak Wavelength: 860nm
• Optical Fall Time: 32000ps
• Optical Rise Time: 12000ps
• Beam Divergence Parallel: 18°
• Beam Divergence Perpendicular: 33°
• Operating Temperature Classification: Industrial
• Power Supply Requirement: Single
• Operating Supply Voltage (max): 9V
• Operating Temp Range: -40C to 85C
• Mounting: Through Hole
• Pin Count: 3
• Lead Free Status / RoHS Status: Compliant
• Other names: Q62702P3558

Optische Kennwerte (
Optical Characteristics
Parameter
Parameter
Zentrale Emissionswellenlänge
Emission wavelength
Spektralbreite (Halbwertsbreite)
Spectral width (FWHM)
Spitzenausgangsleistung
Peak output power
Ladespannung an der Laserschwelle
Charge Voltage at laser threshold
Pulsbreite (Halbwertsbreite)
Pulse width (FWHM)
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)
Rise and fall time (10% … 90%)
Austrittsöffnung
Aperture size
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum
pn-Übergang
Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum
pn-Übergang
Beam divergence (FWHM) perpendicular to
pn-junction
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength
Thermischer Widerstand
Thermal resistance
Einschaltpunkt der Gate-Spannung
Switch on gate voltage
1)
2)
2009-03-04
Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: >40ns Trigger-Pulsbreite, 1kHz Pulswiederholrate, 6.7V
Ladespannung, 15V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem MOSFET-Treiber Elantec
EL7104C.
Values refer to the following standard operating conditions: >40ns trigger pulse width, 1kHz pulse repetition rate, 6.7V charge voltage,
15V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec EL7104C.
Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300pF) des internen
Transistors geladen wird. Kürzere Pulsbreiten, Anstiegs- und Abfallzeiten erhält man bei Trigger-Pulsbreiten <40ns. Dies bewirkt
jedoch auch eine reduzierte optische Spitzenleistung (siehe Diagramme auf Seite 5).
Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300pF) of the internal transistor. Reduced
pulse widths, rise and fall times occur at trigger pulse widths <40ns. This also reduces the optical peak power (see diagrams on page 5).
1)
1)
1)
1)
1), 2)
1)
T
1)
A
1)
= 25 °C)
1), 2)
1)
1)
1), 2)
1), 2)
1)
3
Symbol
Symbol
λ
Δλ
P
U
t
t
t
w
θ
θ
∂λ / ∂
R
V
p
r
f
||
⊥
,
opt
th
G on
C, th
×
h
T
min.
840
–
12
1.2
25
7.0
26
–
12
27
–
–
–
typ.
850
4
1.5
28
9.5
29
200 × 2
15
30
0.25
200
4.5
14
Values
Werte
max.
860
9
18
2.0
31
12.0
32
–
18
33
0.32
–
–
SPL LL85
Einheit
Unit
nm
nm
W
V
ns
ns
ns
μm
Grad
deg.
Grad
deg.
nm/K
K/W
V
2