FP50R12KE3 Infineon Technologies, FP50R12KE3 Datasheet

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FP50R12KE3

Manufacturer Part Number
FP50R12KE3
Description
IGBT Modules 1200V 50A PIM
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FP50R12KE3

Configuration
Hex
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Collector Current (dc) (max)
75A
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Pin Count
24
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
2.15 V
Continuous Collector Current At 25 C
75 A
Gate-emitter Leakage Current
400 nA
Power Dissipation
270 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EconoPIM3
Packages
AG-ECONO3-1
Ic (max)
50.0 A
Vce(sat) (typ)
1.7 V
Technology
IGBT3
Housing
EconoPIM™ 3
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant, Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FP50R12KE3
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
27
Part Number:
FP50R12KE3
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
FP50R12KE3
Quantity:
114
Company:
Part Number:
FP50R12KE3
Quantity:
200
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert proChip
Forward current RMS maximum per Chip
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
T
T
t
t
t
t
T
Tc = 80 °C
T
t
T
t
V
T
T
T
t
T
t
date of publication:23.04.2002
revision: 2
FP50R12KE3
P
P
P
P
P
P
P
P
vj
C
C
vj
C
C
vj
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 80°C
= 25°C
= 25 °C
= 25°C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 80 °C
I
I
RMSmax
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
I
C,nom.
I
I
C,nom.
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
I
I
RRM
I
I
CES
GES
I
CES
GES
I
2
2
C
F
C
F
tot
tot
t
t
+/- 20V
+/- 20V
1600
1250
1200
1200
115
500
400
800
100
270
100
690
200
80
50
75
50
40
55
80
15
30
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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FP50R12KE3 Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Robert Severin FP50R12KE3 T = 25° 80° 80° ms 25°C ...

Page 2

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Page 4

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Page 7

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Page 8

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Page 9

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Page 10

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Page 12

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