BSM10GD120DN2 Infineon Technologies, BSM10GD120DN2 Datasheet
BSM10GD120DN2
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BSM10GD120DN2 Summary of contents
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BSM 10 GD 120 DN2 IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 10 GD 120 DN2 BSM 10 GD120DN2E3224 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage ...
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BSM 10 GD 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage 0. CE, C Collector-emitter saturation voltage °C ...
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BSM 10 GD 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 150 Gon Rise time V = 600 V, ...
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BSM 10 GD 120 DN2 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 ° tot Collector current = (T ) ...
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BSM 10 GD 120 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 17V 16 15V I 13V C 11V ...
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BSM 10 GD 120 DN2 Typ. gate charge = ( Gate parameter puls 600 ...
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BSM 10 GD 120 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 10 GD 120 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter =125° 0.0 0.5 1.0 ...
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BSM 10 GD 120 DN2 Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagramm 9 2006-01-31 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...