BSM200GA170DLC Infineon Technologies, BSM200GA170DLC Datasheet

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BSM200GA170DLC

Manufacturer Part Number
BSM200GA170DLC
Description
IGBT Modules N-CH 1.7KV 400A
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of BSM200GA170DLC

Configuration
Single Dual Emitter
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.7kV
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Pin Count
4
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1700 V
Continuous Collector Current At 25 C
400 A
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
62MM
Ic (max)
200.0 A
Vce(sat) (typ)
2.6 V
Technology
IGBT2 Low Loss
Housing
62 mm
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BSM200GA170DLC
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
BSM200GA170DLC
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
BSM200GA170DLC
Quantity:
50
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Regine Mallwitz
approved by: Christoph Lübke; 28.11.2000
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
t
T
tp = 1 ms
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
I
I
I
V
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication: 28.11.2000
revision: 2 (Series)
BSM 200 GA 170 DLC
P
C
C
C
C
C
C
R
GE
CE
CE
CE
= 1 ms, T
= 200A, V
= 200A, V
= 10mA, V
=25°C, Transistor
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
= 1700V, V
= 1700V, V
= 0V, V
= -15V ... +15V
p
= 10ms, T
vj
vj
GE
C
GE
GE
=80°C
CE
= 25°C,V
= 25°C,V
= 20V, T
= 15V, T
= 15V, T
GE
GE
= V
= 0V, T
= 0V, T
GE
1(8)
, T
Vj
CE
CE
vj
= 125°C
vj
vj
vj
= 25°C
= 25V, V
= 25V, V
= 25°C
= 125°C
= 25°C
vj
vj
= 25°C
= 125°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
V
I
V
V
V
C,nom.
I
I
C
C
I
I
P
CRM
CE sat
GE(th)
Q
FRM
CES
GES
ISOL
GES
I
CES
I
I
C
2
tot
F
ies
res
G
t
min.
4,5
-
-
-
-
-
-
-
-
+/- 20V
11.000
1700
1920
typ.
200
400
400
200
400
3,4
2,6
3,1
5,5
2,4
0,7
0,1
15
6
-
BSM200GA170DLC
max.
200
3,2
3,6
6,5
0,4
-
-
-
A
µC
mA
mA
nF
nF
nA
W
kV
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
2
s

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BSM200GA170DLC Summary of contents

Page 1

... V 1700 V CES I 200 A C,nom. I 400 400 A CRM P 1920 W tot V +/- 20V V GES I 200 400 A FRM 2 2 11.000 3,4 kV ISOL min. typ. max 2,6 3 sat - 3,1 3 4,5 5,5 6,5 V GE(th 2,4 - µ ies res I - 0,1 0,4 mA CES - 200 nA GES BSM200GA170DLC ...

Page 2

... mWs mWs off I - 800 - sCE CC’+EE’ min. typ. max 2,1 2 2,1 2 160 - 220 - µ 105 - µ mWs rec - 50 - mWs BSM200GA170DLC ...

Page 3

... BSM 200 GA 170 DLC Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per Module d 50µ 50µm Paste grease terminals M4 terminals M6 3(8) min. typ. max 0,065 K/W thJC - - 0,14 K 0,012 K/W thCK 150 ° -40 - 125 ° -40 - 125 °C stg max max max 420 g BSM200GA170DLC ...

Page 4

... VGE = 13V 300 VGE = 11V VGE = 9V 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 BSM 200 GA 170 DLC 15V GE 1,5 2,0 2,5 3,0 3 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 V [ 25° 125°C 4,0 4,5 5 125°C vj 4,0 4,5 5,0 BSM200GA170DLC ...

Page 5

... Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 450 400 350 300 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 BSM 200 GA 170 DLC 25° 125° [ 25° 125°C 1,0 1,5 V [ 20V 2,0 2,5 3,0 BSM200GA170DLC ...

Page 6

... Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 250 200 150 100 BSM 200 GA 170 DLC off =7 900V, T gon goff CE 150 200 250 I [ 200A , Eoff Eon Erec 6( rec C = 125°C j 300 350 400 450 = off G rec G = 900V , T = 125° BSM200GA170DLC ...

Page 7

... (t) thJC Zth:Diode Zth:IGBT 0 [sec 7,25 20,98 31,26 0,0047 0,0356 0,0613 26,06 51,63 51,63 0,0062 0,0473 0,0473 R = 7,5 Ohm 600 800 1000 1200 V [V] CE 7(8) 10 100 4 5,5 0,4669 10,69 0,2322 = 125°C vj 1400 1600 1800 BSM200GA170DLC ...

Page 8

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM 200 GA 170 DLC IGBT-Modules 8(8) BSM200GA170DLC ...

Page 9

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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