BSM25GD120DN2E3224 Infineon Technologies, BSM25GD120DN2E3224 Datasheet
BSM25GD120DN2E3224
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BSM 25 GD 120 DN2 E3224 IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 25 GD 120 DN2 BSM 25 GD120DN2E3224 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter ...
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BSM 25 GD 120 DN2 E3224 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage ...
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BSM 25 GD 120 DN2 E3224 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 Gon Rise time V = 600 ...
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BSM 25 GD 120 DN2 E3224 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 220 W 180 P tot 160 140 120 100 Collector current ...
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BSM 25 GD 120 DN2 E3224 Typ. output characteristics parameter µ ° 17V 15V 40 I 13V C 11V ...
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BSM 25 GD 120 DN2 E3224 Typ. gate charge = ( Gate parameter puls 600 ...
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BSM 25 GD 120 DN2 E3224 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 25 GD 120 DN2 E3224 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter =125° 0.0 0.5 ...
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BSM 25 GD 120 DN2 E3224 Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagramm 9 2006-01-31 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...