BSM150GB170DN2 Infineon Technologies, BSM150GB170DN2 Datasheet
BSM150GB170DN2
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BSM 150 GB 170 DN2 IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • Ohm G on,min Type BSM 150 GB 170 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage ...
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BSM 150 GB 170 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage 150 ...
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BSM 150 GB 170 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 1200 Gon Rise time V = 1200 V, ...
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BSM 150 GB 170 DN2 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 1300 W 1100 P 1000 tot 900 800 700 600 500 400 300 200 100 Collector ...
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BSM 150 GB 170 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 300 A 260 17V 15V 240 I 13V C 11V 220 9V 200 7V ...
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BSM 150 GB 170 DN2 Typ. gate charge = ( Gate parameter 150 A C puls 800 0.0 0.4 0.8 Reverse ...
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BSM 150 GB 170 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 1200 ± ...
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BSM 150 GB 170 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 300 A 260 240 I F 220 200 180 160 140 120 100 0.0 ...
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BSM 150 GB 170 DN2 Package Outlines Dimensions in mm Weight: 420 g Circuit Diagram 9 Oct-27-1997 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...