FP25R12KE3 Infineon Technologies, FP25R12KE3 Datasheet

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FP25R12KE3

Manufacturer Part Number
FP25R12KE3
Description
IGBT Modules 1200V 25A PIM
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FP25R12KE3

Configuration
Hex
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Collector Current (dc) (max)
40A
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Pin Count
24
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
1.7 V
Continuous Collector Current At 25 C
40 A
Gate-emitter Leakage Current
400 nA
Power Dissipation
150 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EconoPIM2
Packages
AG-ECONO2-1
Ic (max)
25.0 A
Vce(sat) (typ)
1.7 V
Technology
IGBT3
Housing
EconoPIM™ 2
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FP25R12KE3
Manufacturer:
SEMIKRON
Quantity:
77
Part Number:
FP25R12KE3
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
27
Part Number:
FP25R12KE3
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
FP25R12KE3
Quantity:
111
Part Number:
FP25R12KE3BOSA1
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert proChip
Forward current RMS maximum per Chip
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
T
T
t
t
t
t
T
Tc = 80 °C
T
t
T
t
V
T
T
T
t
T
t
date of publication:23.04.2002
revision: 2
FP25R12KE3
P
P
P
P
P
P
P
P
vj
C
C
vj
C
C
vj
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 80°C
= 25°C
= 25 °C
= 25°C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 80 °C
I
I
RMSmax
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
I
C,nom.
I
I
C,nom.
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
I
I
RRM
I
I
CES
GES
I
CES
GES
I
2
2
C
F
C
F
tot
tot
t
t
+/- 20V
+/- 20V
1600
1200
1200
315
260
500
340
150
170
100
60
50
25
40
50
25
50
15
25
30
10
20
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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Page 7

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Page 10

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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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