2SC2770 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 2SC2770 Datasheet
2SC2770
Manufacturer Part Number
2SC2770
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Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
1.2SC2770.pdf
(3 pages)
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Company:
Part Number:
2SC2770
Manufacturer:
TOSHIBA
Quantity:
530
Part Number:
2SC2770
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
2SC2770
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
ビルディング
ビルディング
ビルディング
一 般 工 業 電 源 用
一 般 工 業 電 源 用
一 般 工 業 電 源 用
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
ビルディング
ビルディング
一 般 工 業 電 源 用
一 般 工 業 電 源 用
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
重量
絶縁耐圧
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
＊）
スイッチング時間
Item
ﾓｰﾀｰ
ﾓｰﾀｰ
ﾓｰﾀｰ制御
ﾓｰﾀｰ
ﾓｰﾀｰ
高耐圧、
高耐圧、
高耐圧、大電流
並列使用が容易
並列使用が容易
並列使用が容易
並列使用が容易
並列使用が容易 Easy application for parallel use
高耐圧、
高耐圧、
ｺｽﾄﾊﾟﾌｫｰﾏﾝｽ
ｺｽﾄﾊﾟﾌｫｰﾏﾝｽ
高信頼性
高信頼性
高信頼性
高信頼性
高信頼性 High reliability
ｲﾝﾊﾞｰﾀ､ﾁｮｯﾊﾟ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ､ﾁｮｯﾊﾟ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ､ﾁｮｯﾊﾟ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ､ﾁｮｯﾊﾟ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ､ﾁｮｯﾊﾟ Inverters,choppers
ｺｽﾄﾊﾟﾌｫｰﾏﾝｽ
ｺｽﾄﾊﾟﾌｫｰﾏﾝｽ
ｺｽﾄﾊﾟﾌｫｰﾏﾝｽが優れている
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ Switching regulators
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
熱 抵 抗
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
Item
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
用途
用途
用途： ： ： ： ： Applications
用途
用途
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
特長
特長
特長： ： ： ： ： Features
特長
特長
制御
制御
制御
制御 Motor controls
大電流
大電流
大電流
大電流 High voltage, high current
：
が優れている
が優れている
が優れている
が優れている Excellent cost performance
Electrical characteristics (T
ブロック
ブロック
ブロック
ブロック
ブロック
Maximum ratings and characteristic
Absolute maximum ratings (Tc=25°C)
1ms
one transistor
two transistor
1ms
DC
DC
DC
Symbol
トランジスタ
トランジスタ
トランジスタ
トランジスタ
トランジスタ
V
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
ｍ
Viso
Mounting
Terminals
B
B
C
C
R
R
R
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
EBO
CBO
on
stg
f
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CBO
CEO
CE
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
M5 : 25±5
-40 to +125
Test Conditions
I
I
I
I
V
V
-I
I
I
I
RL = 3 Ω , Pw = 20 µ s
Transistor
Diode
CBO
CEO
C
EBO
C
C
C
with Thermal Compound
Test Conditions
C
CBO
EBO
+150
25 ±5
= 1A
= 60A, V
= 100A, I
= 100A, I
600
600
450
100
250
770
200
= 1A
20
60
= 10mA
= 300mA
= 1mA
6
= 600V
= 6V
-
-
-
CE
B
B1
= 25A
= 25A, -I
= 5V
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE
BUILDING BLOCK TRANSISTOR
INDUSTRIAL USE POWER SUPPLY
Unit
°C
°C
kg·cm
kg·cm
W
W
g
V
V
V
V
A
A
A
A
A
V
B2
= 2A
Duty=<2%
FUJI POWER TRANSISTOR
JEDEC
EIAJ
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
外形寸法
外形寸法
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
450
600
600
3.0
8.0
-
6
Typ.
Typ.
0.05
-
-
300
Max.
Max.
0.13
1.0
1.5
2.0
4.0
8.0
3.0
-
Units
Units
°C/W
V
V
V
V
mA
mA
V
V
µs
µs
µs
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R
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IGBT(1200V 8A)
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IGBT MODULE(1200V 15A)
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IGBT(600V,400A)
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IGBT MODULE ( S-Series )
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POWER DIODE MODULE
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IGBT(600V 20A)
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IGBT MODULE
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