PDMB200A6 Nihon Inter Electronics (NIEC), PDMB200A6 Datasheet

PDMB200A6

Manufacturer Part Number

PDMB200A6

Description

IGBT MODULE Dual 200a 600V

Manufacturer

Nihon Inter Electronics (NIEC)

Datasheet

1.PDMB200A6.pdf (4 pages)

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Part Number

Manufacturer

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Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

PDMB200A6

Manufacturer:

NIEC

Quantity:

530

Company:

HONG KONG JIETUO ZIJING INTERNATIONAL TRADING CO., LIMITED

Part Number:

PDMB200A6

Quantity:

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

PDMB200A6C

Manufacturer:

NIEC

Quantity:

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

PDMB200A6C

Manufacturer:

NEC

Quantity:

134

Company:

HONG KONG JIETUO ZIJING INTERNATIONAL TRADING CO., LIMITED

Part Number:

PDMB200A6C

Quantity:

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■回路図 CIRCUIT

■最大定格 Maximum Ratings（T

■電気的特性 Electrical Characteristics（T

C2E1

コレクタ・エミッタ間電圧

Collector-Emitter Voltage

ゲート・エミッタ間電圧

Gate-Emitter Voltage

コレクタ電流

Collector Current

コレクタ損失

Collector Power Dissipation

接合温度

Junction Temperature Range

保存温度

Storage Temperature Range

絶縁耐圧（端子−ベース間，AC１分間）

Isolation Voltage （ Terminal to Base, AC１min.）

締付トルク

Mounting Torque

コレクタ遮断電流

Collector-Emitter Cut-Off Current

ゲート漏れ電流

Gate-Emitter Leakage Current

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Collector-Emitter Saturation Voltage

ゲートしきい値電圧

Gate-Emitter Threshold Voltage

入力容量

Input Capacitance

スイッチング時間

Switching Time

IGBT

Characteristic

項目

Item

ベース取付部

Module Base to Heatsink

端子部

Busbar to Terminal

上昇時間

Rise Time

ターン・オン時間

Turn-On Time

下降時間

Fall Time

ターン・オフ時間

Turn-Off Time

1ms

■外形寸法図 OUTLINE DRAWING

Symbol

＝25℃）

記号

CE （ sat）

200 A 600 V

GE （ th）

CES

GES

CES

GES

off

stg

tor

iso

ies

PDMB200A6

＝25℃）

＝200A, V

＝3Ω

＝3.6Ω

＝600V, V

＝±20V, V

＝5V, I

＝10V, V

＝300V

＝±15V

─ 395 ─

Test Conditions

PDMB200A6

条件

2（20.4）

＝200mA

＝15V

＝0V, f＝1MHz

＝0V

Rated Value

−40∼＋150

−40∼＋125

定格値

2（20.4）

±20

2500

600

200

400

780

最小

Min.

4.0

─

PDMB200A6C

3（30.6）

PDMB200A6C

20000

Typ.

標準

2.1

0.15

0.25

0.2

0.45

─

PDMB200A6C

（単位 Dimension：mm）

Max.

最大

500

2.0

2.6

8.0

0.3

0.4

0.35

0.7

─

（kgf ・ cm）

（RMS）

N ・ m

単位

Unit

μ s

℃

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Page 1

... R ＝3.6Ω ＝±15V GE t off ─ 395 ─ PDMB200A6C PDMB200A6C （単位 Dimension：mm） PDMB200A6C 定格値 600 ±20 200 400 780 2500 PDMB200A6C 3（30.6） 2（20.4）最小標準最大 Min. ...

Wheeling Diode Ratings & Characteristics（T 項目 Item DC 順電流 Forward Current 1ms 項目 Characteristic 順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time ■熱的特性 Thermal Characteristics 項目 Characteristic IGBT 熱抵抗 Thermal Impedance Diode 記号定格値 Symbol Rated Value ...

Page 3

Fig. 1 Output Characteristics（Typical） Fig. 3 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical） Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage（Typical） Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time（Typical） Fig. 2 Collector to Emitter on Voltage ...

Page 4

Fig. 9 Reverse Recovery Capacitance （Typical） Fig. 11 Transient Thermal Impedance Fig. 10 Reverse Bias Safe Operating Area ─ 398 ─ ＩＧＢＴモジュール ...

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