BSM200GD60DLC Eupec GmbH, BSM200GD60DLC Datasheet

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BSM200GD60DLC

Manufacturer Part Number
BSM200GD60DLC
Description
eupec GmbH [IGBT-Module]
Manufacturer
Eupec GmbH
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BSM200GD60DLC
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
25
Part Number:
BSM200GD60DLC
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
530
Part Number:
BSM200GD60DLC
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
BSM200GD60DLC
Quantity:
50
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Andreas Vetter
approved by: Michael Hornkamp
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
t
T
t
V
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
I
I
I
f= 1MHz, T
f= 1MHz, T
V
V
V
date of publication: 2000-04-26
revision: 1
BSM 200 GD 60 DLC
P
P
C
C
C
C
C
C
R
CE
CE
CE
= 1ms, T
= 1ms
= 200A, V
= 200A, V
= 4,0mA, V
= 45°C
= 25°C
= 25°C, Transistor
= 0V, t
= 600V, V
= 600V, V
= 0V, V
p
= 10ms, T
C
GE
vj
vj
= 45°C
GE
GE
= 25°C, V
= 25°C, V
CE
= 20V, T
GE
GE
= 15V, T
= 15V, T
= V
= 0V, T
= 0V, T
GE
1 (8)
Vj
, T
= 125°C
vj
CE
CE
vj
vj
= 25°C
vj
vj
vj
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 25V, V
= 25V, V
= 25°C
= 125°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
V
I
V
V
V
C,nom.
I
I
C
I
P
C
I
CRM
CE sat
GE(th)
FRM
CES
GES
GES
I
ISOL
CES
I
I
2
C
F
res
tot
ies
t
min.
4,5
-
-
-
-
-
-
-
+/- 20V
8.450
typ.
1,95
2,20
600
200
226
400
700
200
400
2,5
5,5
0,8
BSM 200 GD 60 DLC S1
9
1
1
-
max.
2,45
500
400
6,5
2000-02-08
-
-
-
-
A
mA
kV
nF
nF
µA
nA
W
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
2
s

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BSM200GD60DLC Summary of contents

Page 1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom ...

Page 2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) ...

Page 3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical ...

Page 4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 400 350 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 300 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 400 350 VGE = 8V VGE ...

Page 5

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 400 350 300 250 200 150 100 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 400 350 300 250 200 150 100 ...

Page 6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 16 Eon 14 Eoff Erec 100 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical Eon Eoff 16 Erec 14 12 ...

Page 7

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 1 0,1 0,01 0,001 0,001 i r [K/kW] : IGBT i [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i [sec] : Diode i Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse ...

Page 8

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram Econo IS8 BSM 200 GD 60 DLC 118.11 94.5 119 121.5 99 19.05 = 76.2 19.05 ...

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