FZ800R12KF4 Infineon Technologies AG, FZ800R12KF4 Datasheet
FZ800R12KF4
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FZ800R12KF4 Summary of contents
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Marketing Information FZ 800 screwing depth max European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG 61,5 M8 130 114 ...
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FZ 800 R 12 KF4 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter ...
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... Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) T 2000 125 °C 25 ° 1600 [ A ] 1200 800 400 FZ800R12KF4 Bild/Fig. 4 Rückwärts-Arbeitsbereich Reverse biased safe operating area 800 R12 KF4 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 = 125 °C vj 200 400 600 800 = 125 ° 1 ...
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... Transient thermal impedance per arm (DC) 1600 1400 Diode 1200 IGBT 1000 800 600 400 200 - 0.5 1.0 1.5 2.0 FZ800R12KF4 Bild/Fig. 6 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of the inverse diode (typical ° 125 ° 800 R12 KF4 2.5 3 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...