FZ1200R33KF2 Eupec GmbH, FZ1200R33KF2 Datasheet

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FZ1200R33KF2

Manufacturer Part Number
FZ1200R33KF2
Description
Manufacturer
Eupec GmbH
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FZ1200R33KF2
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
134
Part Number:
FZ1200R33KF2
Quantity:
55
Part Number:
FZ1200R33KF2C
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
FZ1200R33KF2_B3_S2
Manufacturer:
TI
Quantity:
201
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Jürgen Göttert
approved by: Chr. Lübke; 20.07.99
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
T
T
t
T
t
V
T
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
I
I
I
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication : 08.06.99
revision: 3
FZ 1200 R 33 KF2
C
C
C
P
P
V
j
j
C
C
C
R
j
CE
CE
CE
GE
= 1 ms, T
= 1 ms
= 1200A, V
= 1200A, V
= 120 mA, V
= 25°C
= -25°C
= 125°C
=25°C, Transistor
= 80°C
= 25 °C
= 0V, t
= 3300V, V
= 3300V, V
= 0V, V
= -15V ... + 15V, V
p
= 10ms, T
vj
vj
GE
C
= 25°C,V
= 25°C,V
= 80°C
GE
GE
= 20V, T
CE
GE
GE
= 15V, Tvj = 25°C
= 15V, T
= V
= 0V, T
= 0V, T
PD
1 (9)
GE
Vj
CE
CE
10 pC (acc. to IEC 1287)
, T
vj
= 125°C
CE
= 25°C
= 25V, V
= 25V, V
vj
vj
vj
vj
= 125°C
= 1800V
= 25°C
= 25°C
= 125°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
V
I
P
V
V
V
V
C,nom.
I
I
C
C
I
I
P
CE sat
CRM
FRM
GE(th)
Q
GES
CES
I
RQM
ISOL
ISOL
CES
I
GES
I
2
C
F
res
tot
ies
G
t
Datenblatt
data sheet
min.
4,2
-
-
-
-
-
-
-
-
500.000
+/- 20V
Datenblatt FZ 1200 R 33 KF2
1.200
6.000
2.600
3300
3300
1200
2000
2400
1200
2400
typ.
14,7
3,40
4,30
0,15
150
5,1
22
60
8
-
max.
4,25
5,00
150
400
6,0
12
-
-
-
20.07.99
kW
A
kW
mA
mA
µC
nF
nF
nA
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
V
V
2
s

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FZ1200R33KF2 Summary of contents

Page 1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom ...

Page 2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) ...

Page 3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical ...

Page 4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 2400 T = 25°C 2000 T = 125°C 1600 1200 800 400 0 0,0 0,5 1,0 1,5 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 2400 2000 VGE = 8V VGE ...

Page 5

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 2400 2000 1600 1200 800 400 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 2400 2000 1600 1200 800 400 0 0,0 0,5 ...

Page 6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 10000 Eon 9000 Eoff 8000 Erec 7000 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0 0 300 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 12000 Eon 10000 Eoff Erec 8000 6000 ...

Page 7

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA) Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA) 3000 2400 1800 1200 600 0 0 500 Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) safe operation area Diode (SOA) 3000 2400 1800 1200 600 ...

Page 8

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 Zth:IGBT Zth:Diode 0,01 0,001 0,0001 0,001 i r [K/kW] : IGBT i [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i [sec] : Diode i FZ 1200 ...

Page 9

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram FZ 1200 R 33 KF2 9 (9) Datenblatt data sheet Datenblatt FZ 1200 R 33 KF2 20.07.99 ...

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