TD104N Infineon Technologies, TD104N Datasheet

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TD104N

Manufacturer Part Number
TD104N
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet
1.TT104N.pdf (13 pages)

Specifications of TD104N

Vdrm/ Vrrm (v)
1,200.0 - 1,400.0 V
Itsm
1,800.0 A
Itavm/tc
104/85 (180° el sin)
Housing
PowerBLOCK 20 mm
Features
SCR Diode Phase Control

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TD104N-12-794594-00
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
78
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TD104N-12-794594-00
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
292
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TD104N08KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
228
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TD104N1200KOF
Manufacturer:
AEG
Quantity:
78
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TD104N12KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
78
Phase Control Thyristor Module
BIP AC / 09.07.02; Drilling
N
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Zündverzug
gate controlled delay time
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
approved by: J. Novotny
prepared by: C.Drilling
Netz-Thyristor-Modul
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
A1/02
TT104N
TD104N
DT104N
TT104N
T
T
T
T
T
T
T
T
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,
T
6.Kennbuchstabe / 6
T
T
T
T
T
T
T
T
T
t
T
v
DIN IEC 747-6 T
i
GM
i
T
i
g
D
GM
GM
vj
vj
vj
C
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
= 20 µs
= V
= -40°C... T
= -40°C... T
= +25°C... T
= 85°C
= 25 °C, t
= T
= 25 °C, t
= T
= T
= T
= T
= T
= 25°C, v
= 25°C, v
= T
= T
= T
= 25°C, v
= T
= 0,6 A, di
date of publication:
= 25°C, v
= 0,6 A, di
= 0,6 A, di
DRM
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
, v
, t
, t
, v
, i
, v
, v
, v
R
D
D
D
P
P
D
T
P
P
D
D
D
D
= V
G
= 6 V
= 6 V
= 6 V, R
revision:
= 10 ms
= 10 ms
G
G
= 300 A
= 10 ms
= 10 ms
= 0,67 V
vj max
vj max
= 6 V, R
/dt = 0,6 A/µs
vj max
= 6 V
= 0,5 V
= 0,5 V
/dt = 0,6 A/µs
/dt = 0,6 A/µs,
RRM
vj
= 25 °C,
th
TT104N..K..-K
TD104N..K..-A
letter F
DRM
DRM
A
GK
DRM
= 5 Ω
≥ 10 Ω
09.07.02
3
V
V
V
I
I
I
I²t
(di
(dv
v
V
r
I
V
I
V
I
I
i
t
D
TRMSM
TAVM
TSM
GT
GD
H
L
gd
T
T
DRM
DSM
RSM
(TO)
GT
GD
, i
T
D
R
/dt)
/dt)
,V
cr
RRM
cr
1200
1200
1300
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
21000
16200
1400 V
1400 V
1500 V
2050
1800
1000 V/µs
1,62 V
0,85 V
2,15 mΩ
160 A
104 A
150 A/µs
120 mA
200 mA
620 mA
1,4 V
5,0
2,5
0,2 V
25 mA
3 µs
A
A
A²s
A²s
mA
mA
1/12

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Part Number
Description
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Datasheet
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Manufacturer:
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Manufacturer:
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BGA428.pdf (9 pages)
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BGA616
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Manufacturer:
Infineon Technologies AG
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BGA616.pdf (8 pages)
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Description:
16-bit microcontroller with 2x2 KByte RAM
Manufacturer:
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Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
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BFP193W
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BFP193W
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP193W.pdf (7 pages)
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Part Number:
BFP450
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
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Part Number:
BFP520
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
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Description:
Si-MMIC-amplifier in SIEGET 25-technologie
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BGA420.pdf (8 pages)
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Part Number:
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Description:
IGBT Power Module
Manufacturer:
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Part Number:
TDA4716C
Description:
IC for switching-mode power supplies
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
TDA4716C.pdf (17 pages)

TD104N Summary of contents

Page 1

... DRM R RRM DIN IEC 747 ° 0 /dt = 0,6 A/µ date of publication: revision: A1/02 TT104N..K..-K TD104N..K..-A 1200 1400 DRM RRM 1200 1400 V V DSM 1300 1500 V V RSM I TRMSM I TAVM 2050 I TSM 1800 21000 I² ...

Page 2

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Thermische Eigenschaften Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand ...

Page 3

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module Maßbild Maßbild Maßbild TT-K BIP AC / 09.07.02; Drilling Datenblatt / Data sheet TT104N ...

Page 4

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module R,T – Werte Di Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z R,T-Werte Analytical elements of transient thermal impedance Z Pos [°C/W] 0,005 thn τ [s] 0,00004 n Analytische Funktion / Analytical function: ...

Page 5

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 0,500 Diagramme Trans. Wärmewiderstand bei Sinus 0,400 0° 0,300 0,200 0,100 0,000 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ Trans. ...

Page 6

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 160 Diagramme Durchgangsverluste bei Sinus 140 0° 0 120 100 Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Durchgangsverluste bei ...

Page 7

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module Gehäusetemperatur bei Sinus 140 120 100 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ Gehäusetemperatur ...

Page 8

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 600 R 0,08 thCA 0,10 Maximaler Strom bei B2 und B6 500 0,12 0,15 400 0,20 0,25 300 0,30 0,40 200 0,50 0,60 0,80 100 1,00 1,50 2, ...

Page 9

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 300 0,15 0,12 0,20 Maximaler Strom bei W1C und W3C 250 0,25 0,30 200 0,40 0,50 150 0,60 0,80 100 1,00 1,20 1,50 50 2,00 3, [°C] A ...

Page 10

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 100 Steuercharakteristik v Gate characteristic v Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated W/10ms 1000 100 10 1 0,1 10 BIP AC / 09.07.02; Drilling Datenblatt / Data ...

Page 11

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 1000 100 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q 1.600 1.400 1.200 1.000 800 600 400 200 0 0,01 Grenzstrom / Maximum overload on-state current I BIP AC / 09.07.02; Drilling Datenblatt / Data sheet ...

Page 12

N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 1.200 1.000 800 600 400 200 0 0,01 0,1 B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular Kühlkörper / Heatsink type KM14 Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I ...

Page 13

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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