D8320N Infineon Technologies, D8320N Datasheet

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D8320N

Manufacturer Part Number
D8320N
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of D8320N

Vrrm (max)
200.0 - 600.0 V
Ifsm (max)
95,000.0 A
Ifavm/tc
8320/56 (180 ° el sin)
Housing
Disc dia 100mm height 26mm / Ceramic
Features
Rectifier Diodes
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
N
Netz-Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
Sperrstrom
reverse current
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
approved by: M.Leifeld
prepared by: H.Sandmann
v
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
F
Rectifier Diode
A
B
i
F
2500 A ≤ i
C
ln
i (
F
F
≤ 35000 A
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
1
)
D
i
F
D8320N
A 15/08
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
vj
C
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
= -25°C... T
= 56 °C
= 25 °C, t
= T
= 25 °C, t
= T
= T
= T
= T
= T
= T
= T
date of publication:
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
, t
, i
, i
, v
t
P
P
P
F
F
P
R
= 10 ms
= 10 ms
= 10 ms
revision:
= 10,0 kA
= 4,0 kA
= 10 ms
vj max
= V
RRM
2008-04-10
1
V
I
I
I
I²t
v
V
r
i
R
R
T
T
T
FRMSM
FAVM
FSM
R
T
F
vj max
c op
stg
RRM
(TO)
thJC
thCH
A=
B=
C=
D=
Vorläufige Daten
preliminary data
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
-4,856E-02
8,869E-01
2,664E-06
4,741E-03
-25...+150 °C
-25...+150 °C
103000
0,0125
0,0117
0,0232
0,0225
0,0250
0,0245
13300 A
95000
53000
45000
0,940
0,795
0,024 mΩ
0,003 °C/W
8320 A
400
600
100 mA
180 °C
0,7 V
V
V
A
A
10³A²s
10³A²s
V
V
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
1/8

Related parts for D8320N

D8320N Summary of contents

Page 1

... Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann D8320N T = -25°C... max ° ° ...

Page 2

... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann D8320N Mechanische Eigenschaften 15/08 Vorläufige Daten ...

Page 3

... N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Maßbild Maßbild 1 IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann D8320N 1: Anode Kathode/ A 15/08 Vorläufige Daten preliminary data Anode Cathode Seite/page 3/8 ...

Page 4

... Analytische Funktion / Analytical function: 0,030 0,025 0,020 0,015 0,010 0,005 0,000 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann D8320N 0,000034 0,00057 0,000912 0,000287 0,00298 0,013500 0,000035 0,00060 0,001050 0,000287 0,00230 0,024000 ...

Page 5

... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann D8320N ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00105 0,00170 0,00080 0,00112 0,00090 0,00166 0,00064 0,00096 0,00090 ...

Page 6

... Durchlassverlustleistung / On-state power loss P 180 160 140 120 100 2000 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann D8320N Durchlassverluste 4000 6000 8000 I [A] FAV Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig ...

Page 7

... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann D8320N Qr Diagramm 1 10 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q =f(-di/dt ≤ ...

Page 8

... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann D8320N A 15/08 Vorläufige Daten preliminary data Seite/page ...

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