MJE243 ON Semiconductor, MJE243 Datasheet

no-image

MJE243

Manufacturer Part Number
MJE243
Description
Power 4A 100V NPN , Package: TO-225, Pins=3
Manufacturer
ON Semiconductor
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
MJE243
Manufacturer:
ON
Quantity:
3 000
Part Number:
MJE243G
Quantity:
1 500
Part Number:
MJE243G
Manufacturer:
ON Semiconductor
Quantity:
450
Part Number:
MJE243G
0
Company:
Part Number:
MJE243G
Quantity:
52 000
Company:
Part Number:
MJE243G
Quantity:
15 000
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
high–speed switching applications.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
April, 2002 – Rev. 10
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Base Current
Total Power Dissipation @ T C = 25_C
Total Power Dissipation @ T A = 25_C
Operating and Storage Junction
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
. . . designed for low power audio amplifier and low–current,
High Collector–Emitter Sustaining Voltage —
High DC Current Gain @ I C = 200 mAdc
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
High Current Gain Bandwidth Product —
Annular Construction for Low Leakages
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
Derate above 25_C
Derate @ 25_C
Temperature Range
V CEO(sus) = 100 Vdc (Min) — MJE243, MJE253
h FE = 40–200
V CE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ I C = 500 mAdc
f T = 40 MHz (Min) @ I C = 100 mAdc
I CBO = 100 nAdc (Max) @ Rated V CB
= 40–120 — MJE243, MJE253
Peak
Characteristic
Rating
)
1
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Symbol
Symbol
T J , T stg
V CEO
V CB
V EB
P D
P D
I C
I B
JC
JA
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
–65 to +150
*ON Semiconductor Preferred Device
Value
0.012
POWER TRANSISTORS
0.12
Max
8.34
83.4
3 2
100
100
7.0
4.0
8.0
1.5
10
15
COMPLEMENTARY
Publication Order Number:
1
CASE 77–09
4 AMPERE
100 VOLTS
15 WATTS
TO–225AA
SILICON
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Watts
Watts
W/_C
_C/W
_C/W
W/ac
MJE243/D
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_C

Related parts for MJE243

MJE243 Summary of contents

Page 1

... High Collector–Emitter Sustaining Voltage — V CEO(sus) = 100 Vdc (Min) — MJE243, MJE253 High DC Current Gain @ 200 mAdc 40–200 = 40–120 — MJE243, MJE253 Low Collector–Emitter Saturation Voltage — ...

Page 2

... Vdc 0.1 MHz) Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î MJE243 MJE253 Figure 1. Power Derating ( 25_C unless otherwise noted) http://onsemi ...

Page 3

... Figure 2. Switching Time Test Circuit Figure 5. Active Region Safe Operating Area MJE243 MJE253 Figure 3. Turn–On Time Figure 4. Thermal Response There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate I C – limits of the transistor that must be observed for reliable operation ...

Page 4

... MJE243 MJE253 Figure 6. Turn–Off Time http://onsemi.com Figure 7. Capacitance 4 ...

Page 5

... NPN MJE243 Figure 10. Temperature Coefficients MJE243 MJE253 PNP MJE253 Figure 8. DC Current Gain Figure 9. “On” Voltages http://onsemi.com 5 ...

Page 6

... MJE243 MJE253 PACKAGE DIMENSIONS TO–225AA CASE 77–09 ISSUE W –B– –A– http://onsemi.com ...

Page 7

... Notes MJE243 MJE253 http://onsemi.com 7 ...

Page 8

... Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada Email: ONlit@hibbertco.com N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada MJE243 MJE253 JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031 Phone: 81–3–5740–2700 Email: r14525@onsemi ...

Related keywords