PDTC143XE Philips Semiconductors, PDTC143XE Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: PDTC143XE
• Description: NPN resistor-equipped transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
1999 May 21
handbook, halfpage
handbook, halfpage
NPN resistor-equipped transistor
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
CE
CE
V i(off)
h FE
10
(V)
10
10
= 5 V.
= 5 V.
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
1
10
3
2
10
1
1
1
= 100 C.
= 25 C.
= 40 C.
= 40 C.
= 25 C.
= 100 C.
2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Input-off voltage as a function of collector
current; typical values.
10
1
1
10
1
(1)
(2)
(3)
(2)
(3)
(1)
I C (mA)
I C (mA)
MDA849
MDA851
10
10
2
4
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V CEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.6
C
(mV)
CE
V i(on)
/I
B
(V)
10
10
10
10
= 0.3 V.
= 20.
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
1
3
2
1
2
1
= 100 C.
= 25 C.
= 40 C.
= 40 C.
= 25 C.
= 100 C.
1
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Input-on voltage as a function of collector
current; typical values.
1
(1)
(3)
(2)
10
(1)
(3)
10
PDTC143XE
(2)
I C (mA)
Product specification
I C (mA)
MDA850
MDA852
10
10
2
2