MJE253 ON, MJE253 Datasheet

no-image

MJE253

Manufacturer Part Number
MJE253
Description
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Manufacturer
ON
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
MJE253G
Quantity:
12 000
Part Number:
MJE253G
Manufacturer:
ON Semiconductor
Quantity:
345
Part Number:
MJE253G
Manufacturer:
ST
0
Part Number:
MJE253G
Quantity:
2 921
Company:
Part Number:
MJE253G
Quantity:
15 000
Company:
Part Number:
MJE253G
Quantity:
90 000
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJE243 − NPN,
MJE253 − PNP
Complementary Silicon
Power Plastic Transistors
low−current, high−speed switching applications.
Features
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
February, 2006 − Rev. 11
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation @ T
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Thermal Resistance,
These devices are designed for low power audio amplifier and
High Collector−Emitter Sustaining Voltage −
High DC Current Gain @ I
Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
High Current Gain Bandwidth Product −
Annular Construction for Low Leakages
Pb−Free Packages are Available*
Derate above 25_C
Derate above 25_C
Junction−to−Ambient
V
h
V
f
I
Characteristic
T
CBO
FE
CEO(sus)
CE(sat)
= 40 MHz (Min) @ I
Rating
= 40−200
= 40−120
= 100 nAdc (Max) @ Rated V
− Continuous
− Peak
= 0.3 Vdc (Max) @ I
= 100 Vdc (Min)
C
C
Preferred Device
= 25_C
= 25_C
C
= 200 mAdc
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
C
= 100 mAdc
Symbol
Symbol
T
V
J
V
V
C
q
q
P
P
, T
CEO
I
I
CB
EB
JC
JA
C
B
D
D
= 500 mAdc
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
CB
–65 to +150
Value
0.012
0.12
Max
8.34
83.4
100
100
7.0
4.0
8.0
1.5
10
15
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
mW/_C
mW/_C
_C/W
_C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_C
W
W
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
MJE243
MJE243G
MJE253
MJE253G
COMPLEMENTARY SILICON
Device
POWER TRANSISTORS
100 VOLTS, 15 WATTS
3
ORDERING INFORMATION
2 1
Y
WW
JE2x3 = Device Code
G
MARKING DIAGRAM
4.0 AMPERES
http://onsemi.com
(Pb−Free)
(Pb−Free)
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
Package
TO−225
TO−225
TO−225
TO−225
x = 4 or 5
Publication Order Number:
JE2x3G
YWW
CASE 77
STYLE 1
TO−225
500 Units/Box
500 Units/Box
500 Units/Box
500 Units/Box
Shipping
MJE243/D

Related parts for MJE253

MJE253 Summary of contents

Page 1

... MJE243 − NPN, MJE253 − PNP Preferred Device Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low power audio amplifier and low−current, high−speed switching applications. Features • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − 100 Vdc (Min) CEO(sus) • ...

Page 2

... Vdc 0.1 MHz Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î MJE243 − NPN, MJE253 − PNP (T = 25_C unless otherwise noted MHz) http://onsemi.com 2 Î ...

Page 3

... MSD6100 USED BELOW I B FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES Figure 2. Switching Time Test Circuit 1.0 0 0.5 0.5 0.2 0.3 0.2 0.1 0.05 0.1 0.07 0.02 0.05 0.01 0.03 0 (SINGLE PULSE) 0.02 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 MJE253 − PNP 100 120 T, TEMPERATURE (°C) Figure 1. Power Derating 500 R 300 C 200 SCOPE 100 NPN MJE243 ...

Page 4

... I , COLLECTOR CURRENT (AMPS) C Figure 6. Turn−Off Time MJE253 − PNP There are two limitations on the power handling ability of 100 ms 500 ms a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate I limits of the transistor that must be observed for reliable operation ...

Page 5

... FOR V VC CE(sat) 0 −55 °C to 25°C −0.5 −1.0 25°C to 150°C −1.5 −55 °C to 25°C q FOR −2.0 −2.5 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0 COLLECTOR CURRENT (AMP) C MJE253 − PNP PNP MJE253 200 100 7.0 5.0 3.0 2.0 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 Figure 8. DC Current Gain 1 ...

Page 6

... P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Email: orderlit@onsemi.com MJE243 − NPN, MJE253 − PNP PACKAGE DIMENSIONS TO−225 CASE 77−09 ISSUE Z ...

Related keywords