2SC5946

Manufacturer Part Number2SC5946
Description2SC5946
ManufacturerPanasonic Semiconductor
2SC5946 datasheet
 
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トランジスタ
2SC5946
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
高周波増幅 ・ 発振 ・ 混合用
■ 特 長
• トランジション周波数 f
が高い
T
• SSS ミニ型パッケージのため機器の小形化およびテーピ
ングによる自動挿入が可能
■ 絶対最大定格 T
= 25°C
a
項目
コレクタ ・ ベース間電圧(E 開放時)
コレクタ ・ エミッタ間電圧(B 開放時)
エミッタ ・ ベース間電圧(C 開放時)
コレクタ電流
コレクタ損失
接合温度
保存温度
■ 電気的特性 T
= 25°C ± 3°C
a
項目
コレクタ ・ ベース間電圧(E 開放時)
エミッタ ・ ベース間電圧(C 開放時)
ベース ・ エミッタ間電圧
直流電流増幅率
*
トランジション周波数
帰還容量( ベース接地)
帰還容量(エミッタ接地)
電力利得
注 ) 1. 測定方法は, 日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : パルス測定
発行年月 : 2004年6月
記号
定格
単位
V
30
V
CBO
V
20
V
CEO
V
3
V
EBO
I
50
mA
C
P
100
mW
C
°C
T
125
j
−55 ∼ +125
°C
T
stg
記号
条件
= 100 µA, I
= 0
V
I
CBO
C
E
= 10 µA, I
= 0
V
I
EBO
E
C
= 10 V, I
= −2 mA
V
V
BE
CB
E
= 10 V, I
= −2 mA
h
V
FE
CB
E
= 10 V, I
= −15 mA, f = 200 MHz
f
V
T
CB
E
= 6 V, I
= 0, f = 1 MHz
C
V
rb
CE
C
= 10 V, I
= −1 mA, f = 10.7 MHz
C
V
re
CB
E
= 10 V, I
= −1 mA, f = 200 MHz
PG
V
CB
E
SJC00316AJD
Unit : mm
+0.05
+0.05
0.33
0.10
–0.02
–0.02
3
1
2
+0.05
0.23
–0.02
(0.40)
(0.40)
0.80
±0.05
1.20
±0.05
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SSSMini3-F1 Package
形名表示記号 : 9N
最小
標準
最大
30
3
720
25
250
800
1 600
0.8
1.0
1.5
20
単位
V
V
mV
MHz
pF
pF
dB
1

2SC5946 Summary of contents

  • Page 1

    ... トランジスタ 2SC5946 シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形 高周波増幅 ・ 発振 ・ 混合用 ■ 特 長 • トランジション周波数 f が ...

  • Page 2

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