MRF6S9045 Freescale Semiconductor, MRF6S9045 Datasheet - Page 15

• Manufacturer Part Number: MRF6S9045
• Description: RF Power Field Effect Transistors
• Manufacturer: Freescale Semiconductor

RF Device Data
Freescale Semiconductor
D1
7
A2
2X
A1
c1
aaa
b1
aaa
M
M
2X
GATE
LEAD
C A
C A
r1
H
DATUM
PLANE
B
B
Y
ZONE "J"
F
E1
E2
E
MRF6S9045NBR1(MBR1)
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
Y
CASE 1337 - 03
TO - 272- 2
PLASTIC
ISSUE C
C
SEATING
PLANE
DRAIN
LEAD
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
A
A
2. GATE
3. SOURCE
D
2
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
3. DATUM PLANE −H− IS LOCATED AT THE TOP OF
4. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO NOT INCLUDE
5. DIMENSION "b1" DOES NOT INCLUDE DAMBAR
6. DATUMS −A− AND −B− TO BE DETERMINED AT
7. DIMENSION A2 APPLIES WITHIN ZONE "J" ONLY.
8. CROSSHATCHING REPRESENTS THE EXPOSED
PER ASME Y14.5M, 1994.
LEAD AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD
WHERE THE LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT
THE TOP OF THE PARTING LINE.
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS .006 PER SIDE. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE
DETERMINED AT DATUM PLANE −H−.
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE .005 TOTAL IN EXCESS
OF THE "b1" DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
DATUM PLANE −H−.
AREA OF THE HEAT SLUG.
DIM
aaa
A1
A2
D1
E1
E2
b1
c1
r1
A
D
E
F
É É É É É
É É É É É
É É É É É
É É É É É
É É É É É
É É É É É
É É É É É
É É É É É
É É É É É
É É É É É
É É É É É
É É É É É
É É É É É
MIN
.100
.039
.040
.928
.438
.248
.241
.193
.007
.063
.810 BSC
.025 BSC
INCHES
.004
VIEW Y - Y
MAX
.104
.043
.042
.932
.442
.252
.245
.199
.011
.068
E2
23.57
11.12
MILLIMETERS
MIN
2.54
0.99
1.02
6.30
6.12
4.90
1.60
20.57 BSC
.18
0.64 BSC
.10
23.67
11.23
MAX
2.64
1.09
1.07
6.40
6.22
5.05
1.73
.28
DRAIN ID
PIN 3
NOTE 8
1
15