BU3150AF

Manufacturer Part NumberBU3150AF
DescriptionNPN Transistor
ManufacturerETC
BU3150AF datasheet
 


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BU3150AF
www.DataSheet4U.com
主要用途 :
*
各类功率开关电路。
主要特点:
*
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。
封装形式:
*
TO-220F
极限值:
( Tc=25
)
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
电特性:
( Tc=25
)
参 数 名 称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-基极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
下降时间
特征频率
深圳市晶导电子有限公司
NPN
符 号
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
符 号
测 试 条 件
BV
I =1mA
I =0
CEO
C
B
BV
I =1mA
I =0
CBO
C
E
BV
I =1mA
I =0
EBO
E
C
I
V =700V
I =0
CEO
CE
B
I
V =1000V
I =0
CBO
CB
E
I
V =7V
I =0
EBO
EB
C
H
V =5V
I =0.2A
FE
CE
C
V (sat)
I =1A
I =0.5A
CE
C
B
t
I =1A I =I =0.2A V =300V
f
C
B1
B2
CE
f
V =10V I =0.1A f =1MHz
T
CE
C
高反压大功率晶体管
TO-220F
1
2
3
1.
基极
2.
集电极
3.
发射极
B
C
E
额 定 值
单 位
≥ 800
V
≥ 1100
V
≥ 9
V
3
A
50
W
150
55
150
规 范 值
单 位
最小值
最大值
800
V
1100
V
9
V
20
uA
10
uA
10
uA
10
40
0.6
V
0.5
uS
4
MHz

BU3150AF Summary of contents

  • Page 1

    ... BU3150AF www.DataSheet4U.com 主要用途 : * 各类功率开关电路。 主要特点: * 硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。 ...

  • Page 2

    ... BU3150AF www.DataSheet4U.com 静态输出特性 2 1.6 1.2 0.8 0 Vce V ( )集电极-发射极电压 Vce sat - ( )集电极 发射极饱和压降- Ic=2Ib 1 0.1 0 0.01 0 ( )集电极电流 ...

  • Page 3

    TO 220F www.DataSheet4U.com 符 号 深圳市晶导电子有限公司 最小值 典型值 7.70 7.75 9.95 10.00 4.45 4.50 1.58 1.60 3.15 φ3.20 2.55 13.2 13.35 0.58 0.60 6.90 ...