BU3150AF ETC, BU3150AF Datasheet
BU3150AF
Manufacturer Part Number
BU3150AF
Description
NPN Transistor
Manufacturer
ETC
Datasheet
1.BU3150AF.pdf
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TO-220F
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-基极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
下降时间
特征频率
主要用途 :
各类功率开关电路。
主要特点:
封装形式:
电特性:
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。
极限值:
深圳市晶导电子有限公司
BU3150AF
参 数 名 称
参
( Tc=25
( Tc=25
数
℃
℃
名
)
)
符 号
V (sat)
称
BV
BV
BV
CE
I
I
I
H
CEO
CBO
EBO
f
t
FE
T
CEO
CBO
EBO
f
I =1A I =I =0.2A V =300V
C
V =10V I =0.1A f =1MHz
CE
测 试 条 件
;
I =1mA
I =1mA
I =1mA
V =7V
V =5V
V =700V
V =1000V
I =1A
C
C
E
C
EB
CE
CE
CB
符 号
硅
B1
BV
BV
BV
;
Pcm
Tjm
Tstg
Icm
;
B2
C
CEO
CBO
EBO
;
;
;
;
;
NPN
;
;
I =0.5A
;
;
I =0.2A
B
C
I =0
I =0
I =0
I =0
I =0
I =0
B
E
B
E
C
C
CE
高反压大功率晶体管
-
1
2
额 定 值
≥ 1100
3
≥ 800
55
TO-220F
≥ 9
150
50
1.
3
~
最小值
基极
1100
B
800
10
150
9
规 范 值
2.
集电极
C
最大值
0.6
0.5
20
10
10
40
4
3.
发射极
单 位
E
℃
℃
单 位
W
V
V
V
A
MHz
uA
uA
uA
uS
V
V
V
V
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... BU3150AF www.DataSheet4U.com 静态输出特性 2 1.6 1.2 0.8 0 Vce V ( )集电极-发射极电压 Vce sat - ( )集电极 发射极饱和压降- Ic=2Ib 1 0.1 0 0.01 0 ( )集电极电流 ...
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TO 220F www.DataSheet4U.com 符 号 深圳市晶导电子有限公司 最小值 典型值 7.70 7.75 9.95 10.00 4.45 4.50 1.58 1.60 3.15 φ3.20 2.55 13.2 13.35 0.58 0.60 6.90 ...