BU323AP

Manufacturer Part NumberBU323AP
DescriptionDARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS 125 WATTS
ManufacturerON Semiconductor
BU323AP datasheet
 


1
Page 1
2
Page 2
3
Page 3
4
Page 4
5
Page 5
6
Page 6
Page 1/6

Download datasheet (202Kb)Embed
Next
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN Silicon Darlington Power
Transistor
The BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition,
switching regulator and motor control applications.
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
V CER(sus) = 475 Vdc
125 Watts Capability at 50 Volts
V CE Sat Specified at – 40 _ C = 2.0 V Max. at I C = 6.0 A
Photoglass Passivation for Reliability and Stability
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MAXIMUM RATINGS
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Rating
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector–Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector–Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Emitter–Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector Current — Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
— Peak (1)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Base Current — Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
— Peak (1)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation — T C = 25 _ C
— T C = 100 _ C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Derate above 25 _ C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Operating and Storage Junction Temperature Range
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
THERMAL CHARACTERISTICS
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Characteristic
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Thermal Resistance, Junction to Case
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
1/8 from Case for 5 Seconds
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle
REV 8
Motorola, Inc. 1996
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
COLLECTOR
BASE
1 k
30
EMITTER
Î Î Î Î Î Î Î
Symbol
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
V CEO(sus)
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
V CEV
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
V EB
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
I C
Î Î Î Î Î Î Î
I CM
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
I B
Î Î Î Î Î Î Î
I BM
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
P D
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
T J , T stg
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Symbol
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
R JC
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
T L
Î Î Î Î Î Î Î
x
Î Î Î Î Î Î Î
10%.
Order this document
by BU323AP/D
BU323AP
DARLINGTON
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
400 VOLTS
125 WATTS
CASE 340D–02
TO–218 TYPE
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Value
Unit
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
400
Vdc
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
475
Vdc
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
6.0
Vdc
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
10
Adc
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
16
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
3.0
Adc
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
125
Watts
100
Watts
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
W/ _ C
1.0
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
_ C
– 65 to + 200
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Max
Unit
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
_ C/W
1.0
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
_ C
275
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
3–1

BU323AP Summary of contents

  • Page 1

    ... MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN Silicon Darlington Power Transistor The BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition, switching regulator and motor control applications. Collector–Emitter Sustaining Voltage — V CER(sus) = 475 Vdc 125 Watts Capability at 50 Volts V CE Sat Specified at – 2.0 V Max 6.0 A Photoglass Passivation for Reliability and Stability Î ...

  • Page 2

    ... BU323AP Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...

  • Page 3

    ... Figure 6. Base–Emitter Voltage REVERSE 10 – – 0.2 Figure 8. Collector Cutoff Region BU323AP 0.02 0.05 0.1 0.2 0 BASE CURRENT (AMP – 0.5 1.0 2.0 5 COLLECTOR CURRENT ( 250 Vdc 150 CES ...

  • Page 4

    ... DERATING 0 Vdc 50 ms 470 350 V (BU323P 400 V (BU323AP 160 200 selected such that I C reaches 10 Adc before switch–off. NOTE: Figure 12 specifies energy handling capabilities in an automotive ignition circuit. Figure 12. Ignition Test Circuit Motorola Bipolar Power Transistor Device Data ...

  • Page 5

    ... G Motorola Bipolar Power Transistor Device Data PACKAGE DIMENSIONS C NOTES CASE 340D–02 TO–218 TYPE ISSUE B BU323AP 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. MILLIMETERS INCHES DIM MIN MAX MIN MAX A ––– 20.35 ––– ...

  • Page 6

    ... JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, 6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–81–3521–8315 ASIA/PACIFIC: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park, 51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298 *BU323AP/D* Motorola Bipolar Power Transistor Device Data BU323AP/D ...