BU323AP ON Semiconductor, BU323AP Datasheet

ELCODIS — electronic components distributor

Share this page

BU323AP

My request: 0 parts

BU323AP
Manufacturer Part Number	BU323AP
Description	DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS 125 WATTS
Manufacturer	ON Semiconductor
BU323AP datasheet	1. BU323AP.pdf (6 pages)

1

2

3

4

5

6

Page 1/6

Download datasheet (202Kb)Embed

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon Darlington Power

Transistor

The BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition,

switching regulator and motor control applications.

Collector–Emitter Sustaining Voltage —

V CER(sus) = 475 Vdc

125 Watts Capability at 50 Volts

V CE Sat Specified at – 40 _ C = 2.0 V Max. at I C = 6.0 A

Photoglass Passivation for Reliability and Stability

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

MAXIMUM RATINGS

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Rating

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Collector–Emitter Voltage

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Collector–Emitter Voltage

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Emitter–Base Voltage

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Collector Current — Continuous

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

— Peak (1)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Base Current — Continuous

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

— Peak (1)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Total Power Dissipation — T C = 25 _ C

— T C = 100 _ C

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Derate above 25 _ C

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Operating and Storage Junction Temperature Range

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

THERMAL CHARACTERISTICS

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Characteristic

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Thermal Resistance, Junction to Case

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

1/8 from Case for 5 Seconds

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle

REV 8

Motorola, Inc. 1996

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

COLLECTOR

BASE

1 k

30

EMITTER

Î Î Î Î Î Î Î

Symbol

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

V CEO(sus)

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

V CEV

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

V EB

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

I C

Î Î Î Î Î Î Î

I CM

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

I B

Î Î Î Î Î Î Î

I BM

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

P D

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

T J , T stg

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

Symbol

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

R JC

Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î

T L

Î Î Î Î Î Î Î

x

Î Î Î Î Î Î Î

10%.

Order this document

by BU323AP/D

BU323AP

DARLINGTON

NPN SILICON

POWER TRANSISTOR

400 VOLTS

125 WATTS

CASE 340D–02

TO–218 TYPE

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Value

Unit

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

400

Vdc

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

475

Vdc

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

6.0

Vdc

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

10

Adc

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

16

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

3.0

Adc

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

125

Watts

100

Watts

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

W/ _ C

1.0

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

_ C

– 65 to + 200

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Max

Unit

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

_ C/W

1.0

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

_ C

275

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

3–1

Download datasheet (202Kb)

Related parts for BU323AP
Part Number	Description	Manufacturer	Datasheet
BU323Z	TRANS DARL NPN 350V 10A TO-218	ON Semiconductor	BU323ZG.pdf (6 pages)
BU323ZG	TRANS DARL NPN 350V 10A TO-218	ON Semiconductor	BU323ZG.pdf (6 pages)
BU323Z_06	NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected	ONSEMI [ON Semiconductor]	BU323Z_06.pdf (7 pages)
BU323Z_09	NPN Silicon Power Darlington	ONSEMI [ON Semiconductor]	BU323Z_09.pdf (6 pages)
BU9817FV	4-channel temperature sensor IC for PCs with I2C BUS interface	Rohm	BU9817FV.pdf (15 pages)
bu97565ch-3bw	Ram Built-in, Dot-matrix Stn Lcd Control Driver	ROHM Co. Ltd.	BU97565CH-3BW.pdf (7 pages)
BUX39	High Current High Speed High Power Silicon Npn Planar Transistor	Semelab Group	BUX39.pdf (2 pages)
BUX50	Bipolar Npn Device In A Hermetically Sealed To39 Metal Package.	Semelab Group	BUX50.pdf (1 page)
BUX20	High Current High Speed High Power Transistor	Semelab Group	BUX20.pdf (2 pages)
BU8255KVT	35bit Lvds Receiver 5 35 Deserializer	ROHM Co. Ltd.	BU8255KVT.pdf (17 pages)
BUJ106A	Silicon Diffused Power Transistor	NXP Semiconductors	BUJ106A.pdf (7 pages)
BUH515	Silicon Npn Power Transistors	Inchange Semiconductor Company	BUH515.pdf (3 pages)
BUW35	Bipolar Npn Device	Semelab Group	BUW35.pdf (1 page)
BUY49S	Bipolar Npn Transistor.	Semelab Group	BUY49S.pdf (2 pages)
BU4001BF	Quad 2-input NOR gate	Rohm	BU4001BF.pdf (4 pages)

BU323AP Summary of contents

Page 1
... MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN Silicon Darlington Power Transistor The BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition, switching regulator and motor control applications. Collector–Emitter Sustaining Voltage — V CER(sus) = 475 Vdc 125 Watts Capability at 50 Volts V CE Sat Specified at – 2.0 V Max 6.0 A Photoglass Passivation for Reliability and Stability Î ...
Page 2
... BU323AP Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...
Page 3
... Figure 6. Base–Emitter Voltage REVERSE 10 – – 0.2 Figure 8. Collector Cutoff Region BU323AP 0.02 0.05 0.1 0.2 0 BASE CURRENT (AMP – 0.5 1.0 2.0 5 COLLECTOR CURRENT ( 250 Vdc 150 CES ...
Page 4
... DERATING 0 Vdc 50 ms 470 350 V (BU323P 400 V (BU323AP 160 200 selected such that I C reaches 10 Adc before switch–off. NOTE: Figure 12 specifies energy handling capabilities in an automotive ignition circuit. Figure 12. Ignition Test Circuit Motorola Bipolar Power Transistor Device Data ...
Page 5
... G Motorola Bipolar Power Transistor Device Data PACKAGE DIMENSIONS C NOTES CASE 340D–02 TO–218 TYPE ISSUE B BU323AP 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. MILLIMETERS INCHES DIM MIN MAX MIN MAX A ––– 20.35 ––– ...
Page 6
... JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, 6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–81–3521–8315 ASIA/PACIFIC: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park, 51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298 *BU323AP/D* Motorola Bipolar Power Transistor Device Data BU323AP/D ...

Elcodis.com © 2010-2017

Copyright ©2010 - 2017 Elcodis Company Ltd. All Rights Reserved. Elcodis is a trademark of Elcodis Company Ltd. in the U.S. and/or other countries. All other trademarks are the property of their respective owners.