c10t10q-11a Nihon Inter Electronics (NIEC), c10t10q-11a Datasheet

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c10t10q-11a

Manufacturer Part Number

c10t10q-11a

Description

Sbd ,schottky Diodes

Manufacturer

Nihon Inter Electronics (NIEC)

Datasheet

1.C10T10Q-11A.pdf (1 pages)

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10A Avg.

（Ａ）

（Ｗ）

（ｐＦ）

■最大定格 Maximum Ratings

■電気的・熱的特性 Electrical/ Thermal Characteristics

■定格・特性曲線

ピ

Peak Reverse Current

ピ

Peak Forward Voltage

熱

Thermal Resistance

瞬

時

順

電

流

平

均

逆

電

力

損

失

接

合

容

量

くり返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

平

Average Rectified Forward Current

実

R.M.S. Forward Current

サ

Surge Forward Current

動

Operating Junction Temperature Range

保

Storage Temperature Range

作

0.5

500

200

100

ー

ー

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

均

ー

存

20

10

50

20

5

2

1

0

0.5

効

0

0

接

ク

ク

整

ジ

温

Item

合

Item

1

0.2

抵

順

20

温

逆

順

流

順

度

JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE

2

Tj=25 C,Vm=20mV

AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION

0.4

平均逆電力損失

度

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE

電

瞬時順電圧（Ｖ）

接合容量特性

40

電

電

電

電

範

順電圧特性

逆電圧（Ｖ）

逆電圧（Ｖ）

範

5

REVERSE VOLTAGE (V)

REVERSE VOLTAGE (V)

0.6

RMS

FIG.1

FIG.4

FIG.7

流

圧

抗

流

流

流

囲

囲

, f=100kHz, Typical Value

60

10

0.8

Symbol

Tj=150 C

Symbol

Tj=25 C

I

R

20

V

F(RMS)

I

V

100

T

I

T

th(j-c)

C10T10Q/C10T10Q-11A (per Arm)

C10T10Q/C10T10Q-11A (per Arm)

FSM

RRM

I

RM

80

FM

C10T10Q/C10T10Q-11A (Total)

stg

O

jw

1.0

SINE WAVE

RECT 180

50

100

1.2

50Hz、正弦全波通電抵抗負荷

100

50Hz Full Sine Wave Resistive Load

Volts

1.4

120

200

（Ｗ）

（Ａ）

平

均

順

電

力

損

失

平

均

順

電

流

120

CONDUCTION ANGLE

CONDUCTION ANGLE

0

0

通流角

通流角

12

10

8

6

4

2

0

8

6

4

2

0

50Hz正弦全波，１サイクル，非くり返し

50Hz Full Sine Wave,1cycle, Non-repetitive

180

180

0

0

T

RECT 180

SINE WAVE

j

T

＝25℃, V

j

＝25℃, I

平均順電流 − ケース温度定格

−40∼＋150

−40∼＋150

Conditions

25

2

AVERAGE FORWARD CURRENT VS. CASE TEMPERATURE

平均順電力損失特性

AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION

11.1

接合部･ケース間

100

SBD

Conditions

Junction to Case

平均順電流（Ａ）

ケース温度（℃）

RM

4

AVERAGE FORWARD CURRENT (A)

50

Tc＝121℃

FM

480

CASE TEMPERATURE ( C)

＝V

＝5A,

FIG.2

FIG.5

V

RM

75

6

=100V

RRM

一素子あたり

,

一素子あたり

Per Diode

100

8

C10T10Q/C10T10Q-11A (Total)

C10T10Q/C10T10Q-11A (Total)

Per Diode

SINE WAVE

125

RECT 180

10

10

150

12

（Ａ）

（ｍＡ）

ピ

｜

ク

逆

電

流

サ

｜

ジ

順

電

流

Unit

℃

℃

V

A

A

A

140

120

100

20

10

80

60

40

20

5

2

0

0.02

0

■OUTLINE DRAWING(mm)

■APPROX. NET WEIGHT:1.45 g

Min.

0.02s

0.02s

−

−

−

C10T10Q-11A

20

0.05

PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE

ピーク逆電流 − ピーク逆電圧特性

サージ順電流定格

f=50Hz,Sine Wave,Non-Repetitive,No Load

ピーク逆電圧（Ｖ）

40

0.1

Typ.

I FSM

SURGE CURRENT RATINGS

PEAK REVERSE VOLTAGE (V)

−

−

−

時間（ｓ）

Tj= 150 C

FIG.3

FIG.6

TIME (s)

0.2

60

Max.

0.85

1

3

C10T10Q/C10T10Q-11A (per Arm)

80

0.5

C10T10Q/C10T10Q-11A

℃/W

Unit

mA

100

1

V

120

2

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