tc7sz07afs TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tc7sz07afs Datasheet
tc7sz07afs
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tc7sz07afs
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Non-inverter Open Drain
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
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Part Number:
TC7SZ07AFS
Manufacturer:
TOSHIBA/东芝
Quantity:
20 000
NON-Inverter (Open Drain)
特 長
•
•
•
•
•
現品表示
絶対最大定格
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､高負荷 (高温およ
注 1: I
注 2: V
高出力電流
超高速動作
広い動作電圧範囲
入力端子に、5.5V トレラント機能あり
出力端子に､ 5.5V パワーダウンプロテクション機能あり
電
入
出
入 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出
電
許
保
び大電流/高電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するおそれがありま
す。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします。
源
OUT
OUT
<GND
J M
/
の絶対最大定格を超えないこと
源
力
力
力
容
存
項
G
(Ta = 25°C)
N
: 24 mA (最小) @V
: t
: V
目
形名
電
電
電
電
損
温
D
pZL
CC
東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
= 2.3 ns (標準) @V
= 1.65~5.5 V
電
圧
圧
圧
流
流
失
度
TC7SZ07AFS
記 号
V
I
V
T
OUT
V
I
I
P
OUT
I
OK
CC
CC
stg
IK
CC
IN
D
= 3 V
CC
= 5 V, 50 pF
ピン接続図
IN A 1
GND 2
定
−65~150
−0.5~ 6 (注 1)
−0.5~6
−0.5~6
NC 3
−20
±50
−20 (注 2)
50
50
1
格
(top view)
単位
mW
mA
mA
mA
mA
°C
V
V
V
質量: 0.001 g (標準)
4 OUT Y
5 V
SON5-P-0.35
CC
TC7SZ07AFS
2009-09-17
(fSV)
Related parts for tc7sz07afs
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R
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Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [SILICON N CHANNEL 1GBT]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [Power Module]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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tc7sz07afs Summary of contents
Page 1
... V IN −0.5~ 6 (注 1) 圧 V OUT − −20 (注 流 OUT ±50 I 流 失 D −65~150 T 度 stg 1 TC7SZ07AFS SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準 OUT Y 単位 °C 2009-09-17 (fSV) ...
Page 2
... 高インピーダンス 記 号 定 1.65~5.5 V 圧 CC 1.5~5.5 V 0~5.5 圧 0~5.5 圧 OUT −40~85 T 度 opr = 1.80 V±0.15V, 2.5 V ± 0 dt/dv = 3.3 V ± 0 5.0 V ± 0 TC7SZ07AFS 格 単位 V (注 °C ns/V 2009-09-17 ...
Page 3
... GND V 0~5 5 0.0 IN OUT = GND 5 TC7SZ07AFS Ta = 25° −40~85°C 最小 標準 最大 最小 最大 ⎯ ⎯ ⎯ × 0.75 × 0. ⎯ ⎯ ⎯ × 0.7 × ...
Page 4
... R = 500 Ω 3.3 ± 0.3 5.0 ± 0.5 ⎯ 0~5.5 ⎯ 0~5.5 3.3 (注 測定波形 × 50% Input Output t pZL 4 TC7SZ07AFS Ta = 25° −40~85°C 最小 標準 最大 最小 最大 1.8 5.5 9.5 1.8 10.5 1.2 3.7 5.8 1.2 6.4 0.8 2.9 4.4 0.8 4.8 0.5 2.3 3.5 0.5 3.9 1.8 4.3 9.5 1.8 10.5 1 ...
Page 5
... SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準) 5 TC7SZ07AFS Unit:mm 2009-09-17 ...
Page 6
... TC7SZ07AFS 2009-09-17 ...