tc7sz17afs TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tc7sz17afs Datasheet
tc7sz17afs
Manufacturer Part Number
tc7sz17afs
Description
Schmitt Buffer
Manufacturer
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
1.TC7SZ17AFS.pdf
(5 pages)
Schmitt Buffer
特 長
•
•
•
•
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絶対最大定格
注:
注 1: V
高出力電流
超高速動作
動作電圧範囲
入力端子に､ 5.5 V トレラント機能あり
電
入
出
入 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出
電
許
保
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､ 高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加､ 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､ 信頼性が著しく低下するおそれがあ
ります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および
個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､ 推定故障率等) をご確認の上､ 適切な信頼性設計をお願いします。
源
OUT
J L
/
< GND, V
源
力
力
力
容
存
項
G
(Ta = 25°C)
N
OUT
: ±24mA (最小) (V
: t
: V
目
電
電
電
電
損
温
形名
D
pd
CC
東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
> V
= 3.7ns (標準) (V
= 1.65 ~ 5.5V
電
CC
流
圧
圧
圧
流
失
度
TC7SZ17AFS
CC
記 号
V
I
V
T
OUT
V
I
I
P
OUT
I
OK
CC
CC
IK
stg
IN
D
= 3V)
CC
= 5V, 50
−0.5 ~ V
−65 ~ 150
定
−0.5 ~ 6
−0.5 ~ 6
p
F)
−20
±50
±50
±20 (注１)
1
50
CC
格
+0.5
単位
mW
mA
mA
mA
mA
°C
V
V
V
質量: 0.001 g (標準)
ピン接続図
GND
IN A
NC
2
3
1
SON5-P -0.35
(top view)
TC7SZ17AFS
2009-09-17
4
5
(fSV)
V
OUT Y
CC
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Description
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R
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [Power Module]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
tc7sz17afs Summary of contents
Page 1
... I OK ±50 流 I OUT ±50 流 失 −65 ~ 150 T 度 stg 1 TC7SZ17AFS SON5-P -0.35 質量: 0.001 g (標準) ピン接続図 (top view) 単位 GND °C ...
Page 2
... V CC 1.5 ~ 5.5 圧 5.5 IN 圧 OUT CC − 度 opr 測 定 条 件 V (V) CC 1.65 1.8 2.3 ⎯ 3.0 4.5 5.5 1.65 1.8 2.3 ⎯ 3.0 4.5 5.5 1.65 1.8 2.3 ⎯ 3.0 4.5 5.5 2 TC7SZ17AFS 格 単位 V (注 ° 25° −40 ~ 85°C 最小 標準 最大 最小 0.6 1.0 1.4 0.6 0.7 1.1 1.5 0.7 1.0 1.4 1.8 1.0 1.3 1.75 2.2 1.3 1.9 2.45 3.1 1.9 2.2 2.9 3.6 2.2 0.2 0.5 0.8 0.2 0.25 0.55 0.9 0.25 ...
Page 3
... 500 Ω 5.0 ± 0.5 ⎯ 量 5.5 IN 3.3 量 C (注 5 TC7SZ17AFS Ta = 25° −40 ~ 85°C 最小 標準 最大 最小 最大 ⎯ ⎯ 1.55 1.65 1.55 ⎯ ⎯ 1.7 1.8 1.7 ⎯ ⎯ 2.2 2.3 2.2 ⎯ ⎯ 2.9 3 ...
Page 4
... SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準) 4 TC7SZ17AFS Unit: mm 2009-09-17 ...
Page 5
... TC7SZ17AFS 2009-09-17 ...