2sa1955ct TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, 2sa1955ct Datasheet
2sa1955ct
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2sa1955ct
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???????? ????PNP???????? (PCT??)
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
1.2SA1955CT.pdf
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2SA1955CT
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toshiba
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30 000
○ 低周波増幅用
○ スイッチング用
○ ミューティング用
•
•
絶対最大定格
* : FR4 基板実装時(10 mm × 10 mm × 1 mmt)
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、 高負荷 (高温および大電流
コレクタ飽和電圧が低い。 : V
コレクタ電流が大きい。
コ レ ク タ ･ ベ ー ス 間 電 圧
コ レ ク タ ･ エ ミ ッ タ 間 電 圧
エ ミ ッ タ ･ ベ ー ス 間 電 圧
コ
ベ
コ
接
保
高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および
個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
レ
レ
ー
合
存
項
ク
ク
(Ta = 25°C)
ス
タ
タ
東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 (PCT方式)
目
温
温
電
電
損
: I
@I
C
CE (sat)
= −400 mA (最大)
C
流
失
流
度
度
= −10 mA, I
2SA1955CT
(1) = −15 mV (標準)
記 号
V
V
V
T
P
CBO
CEO
EBO
I
I
T
stg
C
B
C
j
B
= −0.5 mA
−55 ~ 150
定
−400
100*
−15
−12
−50
150
−5
1
格
単位
mW
mA
mA
°C
°C
V
V
V
質量: 0.75mg (標準)
JEDEC
JEITA
東 芝
CST3
0.15±0.03
１
0.6±0.05
0.5±0.03
0.35±0.02
３
1.ベース
2.エミッタ
3.コレクタ
２
2SA1955CT
2-1J1A
0.05±0.03
2009-04-13
―
―
単位: mm
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R
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Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [SILICON N CHANNEL 1GBT]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [Power Module]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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2sa1955ct Summary of contents
Page 1
... EBO −400 I 流 C −50 I 流 100* 失 C 度 T 150 j −55 ~ 150 度 T stg 1 2SA1955CT 0.6±0.05 0.5±0.03 ３ １ ２ 0.05±0.03 0.35±0.02 0.15±0.03 V 1.ベース V 2.エミッタ 3.コレクタ V CST3 mA JEDEC ― mA JEITA ― ...
Page 2
... 300 Ω 0 入力 10 μs t 間 stg = −I = − 間 2SA1955CT 最小 標準 最大 ⎯ ⎯ −0.1 ⎯ ⎯ −0.1 ⎯ 300 1000 ⎯ −15 −30 ⎯ −110 −250 ⎯ −0.87 −1.2 ⎯ ...
Page 3
... V 3 2SA1955CT h – エミッタ接地 100° 25° −25°C −1 −3 −10 −30 − ...
Page 4
... P – 125 100 100 125 接合温度 Ta (°C) 150 175 4 2SA1955CT 2009-04-13 ...
Page 5
... 調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。 5 2SA1955CT 2009-04-13 ...